[发明专利]阻焊剂图案的形成方法

说明书

技术领域

本发明涉及阻焊剂图案的形成方法。

背景技术

各种电气仪器内部的布线基板上，为了不使焊料附着于电路基板中的不需要焊料(はんだ)贴敷的导电布线，形成阻焊剂图案，以使该不需要焊料贴敷的导电布线被阻焊剂层被覆。另外，阻焊剂图案发挥以下作用：防止导电布线的氧化、电绝缘和保护免受外部环境影响。

在电路基板上搭载有半导体芯片等的电子部件而得的半导体封装中，利用倒装焊接的电子部件的搭载在实现高速化、高密度化方面是有效的手段。倒装焊接中，导电布线的一部分作为倒装焊接用的连接焊盘发挥作用，例如，在该连接焊盘上配设的焊料凸点和电子部件的电极端子连接。

作为在电路基板上形成阻焊剂图案的方法，通常已知有光蚀刻法。在光蚀刻法方式中，在绝缘层1上具有连接焊盘6和导电布线2的电路基板上形成阻焊剂层。然后，将该阻焊剂层曝光、显影、除去连接焊盘6周边的阻焊剂层，设置开口部。由此，形成图1所示的阻焊剂层限定(Solder Mask Defined(SMD))结构或图2所示的非阻焊层限定(Non Solder Mask Defined(NSMD))结构。

在图1所示的SMD结构中，连接焊盘6的周边附近被阻焊剂层3被覆。因此，为了将电子部件的电极端子和连接焊盘6进行可靠地电连接，对于在连接焊盘6的露出面形成的连接部必须确保必要的焊料量，因此，存在连接焊盘6变得大型化的问题。进而，为了使连接焊盘6的周边附近被阻焊剂层3可靠地被覆，考虑到加工精度，必须预先更宽地确保连接焊盘6的被阻焊剂层3被覆的部分的宽度，存在连接焊盘6进一步变得大型化的问题。另一方面，在图2所示的NSMD结构的连接焊盘6的情况下，由于连接焊盘6全体由阻焊剂层3露出，与焊料的连接面积大，与SMD结构的情况相比，可以使得连接焊盘6小型化。但是，在NSMD结构中，由于连接焊盘6从阻焊剂层3完全露出，因此在彼此相邻的连接焊盘6之间，存在产生焊料导致的电短路的情况。

提出了用于解决这种问题的阻焊剂图案的形成方法。该方法是按顺序至少包括以下步骤的方法：在具有连接焊盘6的电路基板上形成阻焊剂层3的步骤，和将未固化的阻焊剂层3薄膜化、直至阻焊剂层3的厚度为连接焊盘6的厚度以下的薄膜化步骤(例如参照专利文献1和2)。在该阻焊剂图案的形成方法中，如图3所示，得到了连接焊盘6表面从阻焊剂层3露出、同时连接焊盘6侧面的一部分被阻焊剂层3被覆的结构。在图3所示的结构中，彼此相邻的连接焊盘6之间，焊料导致的电短路难以发生，用于使电子部件的电极端子和连接焊盘6可靠地电连接所必需的焊料量可以得到确保，连接焊盘6可以小型化，可以制作电连接可靠性优异的高密度布线的布线基板。

在该阻焊剂图案的形成方法中，作为阻焊剂使用碱性显影型阻焊剂，在将阻焊剂层3薄膜化的薄膜化步骤中，使用碱性水溶液。

对于碱性显影型的阻焊剂的酸值，通过该阻焊剂含有具有羧基的聚合物，以表现出碱性显影性的方式进行调整。但是，对于在要求绝缘可靠性的阻焊剂中使用的聚合物，必须通过降低羧基含量来将酸值设定地较低。在使用这种含有酸值低的聚合物的阻焊剂的情况下，若通过专利文献1和2公开的方法形成阻焊剂图案，则薄膜化所需的时间长。因此，为了提高生产性，要求薄膜化所需的时间缩短。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2011-192692号公报

专利文献2：国际公开第2012/043201号小册子。

发明内容

发明所要解决的技术问题

本发明的课题在于提供一种阻焊剂图案的形成方法，该方法按顺序至少包括：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤；和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤，在该方法中，阻焊剂层的薄膜化所需的时间可以缩短，生产性得以提高。

用于解决课题的技术手段

本发明人等为了解决上述课题，进行了深入地研究，结果发现，通过下述阻焊剂图案的形成方法，可以解决上述课题。

(1) 一种阻焊剂图案的形成方法，其是按顺序至少包括以下步骤的阻焊剂图案的形成方法：在至少具有连接焊盘的电路基板上形成阻焊剂层的步骤，和将未固化的阻焊剂层薄膜化直至阻焊剂层的厚度为连接焊盘的厚度以下的薄膜化步骤，其特征在于，在薄膜化步骤中使用的碱性水溶液包含(A)碱性化合物和(B)铵离子，(B)铵离子相对于(A)碱性化合物的摩尔比(B/A)超过0.00且低于1.85。