[发明专利]存储器元件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710456898.7 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN109148455A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 周福兴;詹耀富;韩宗廷 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11521 | 分类号： | H01L27/11521;H01L27/11551;H01L27/11517 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器元件 多层结构 金属硅化物层 栅极绝缘层 栅间介电层 浮置栅极 控制栅极 控制栅 基底 三层 制造 | ||
1.一种存储器元件，包括：
浮置栅极，位于基底上；
栅极绝缘层，位于所述浮置栅极与所述基底之间；
栅间介电层，位于所述浮置栅极上；以及
控制栅极，位于所述栅间介电层上，所述控制栅极为三层以上的多层结构，所述多层结构的至少一层为金属硅化物层。
2.如权利要求1所述的存储器元件，其中所述控制栅极包括第一层、第二层以及第三层，所述第二层位于所述第一层与所述第三层之间。
3.如权利要求2所述的存储器元件，其中所述控制栅极的所述第一层与所述控制栅极的所述第二层的厚度小于所述控制栅极的所述第三层的厚度。
4.如权利要求2所述的存储器元件，其中所述控制栅极的所述第一层的晶粒大小小于所述控制栅极的所述第二层与所述控制栅极的所述第三层的晶粒大小。
5.如权利要求1所述的存储器元件，其中所述控制栅极的至少一层为碳掺杂的多晶硅。
6.一种存储器元件的制造方法，包括：
在基底上依序形成栅极绝缘层与浮置栅极；
图案化所述浮置栅极与所述栅极绝缘层；
在所述基底中形成多个隔离结构，所述隔离结构的表面低于所述浮置栅极的表面；
在所述浮置栅极与所述隔离结构上形成栅间介电层；以及
在所述栅间介电层上形成控制栅极，所述控制栅极为三层以上的多层结构，所述多层结构的至少一层为金属硅化物层。
7.如权利要求6所述的存储器元件的制造方法，其中形成所述控制栅极的方法包括：在所述栅间介电层上依序形成第一层、第二层以及第三层。
8.如权利要求7所述的存储器元件的制造方法，其中形成所述第一层的期间包括掺杂碳。
9.如权利要求7所述的存储器元件的制造方法，其中形成所述第二层的期间包括掺杂碳。
10.如权利要求6所述的存储器元件的制造方法，其中形成所述金属硅化物层之后还包括进行热处理。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
