[发明专利]自聚焦微透镜光电导阵列天线

权利要求书

1.自聚焦微透镜光电导阵列天线，其特征在于，包括自聚焦微透镜阵列(1)，所述自聚焦微透镜阵列(1)包括设置在透镜架(11)上的若干个自聚焦微透镜(12)，自聚焦微透镜阵列(1)下部对应设置有GaAs光电导阵列天线(2)，所述GaAs光电导阵列天线(2)包括在衬底上设置的若干个天线阵元，每个天线阵元分别对应一个自聚焦微透镜(12)，由一路输入多路输出电源(3)为若干个所述天线阵元供电；

所述天线阵元包括中心天线阵元和边缘天线阵元，中心天线阵元的阵元间隙不小于边缘天线阵元的阵元间隙。

2.根据权利要求1所述的自聚焦微透镜光电导阵列天线，其特征在于，若干个所述自聚焦微透镜(12)呈圆排布，边缘部分的自聚焦微透镜(12)围绕中心位置的自聚焦微透镜(12)构成同心圆环。

3.根据权利要求1所述的自聚焦微透镜光电导阵列天线，其特征在于，所述自聚焦微透镜(12)的焦点分别落在对应的所述天线阵元的阵元间隙中。

4.根据权利要求1所述的自聚焦微透镜光电导阵列天线，其特征在于，所述一路输入多路输出电源(3)包括直流电压源(31)，所述直流电压源(31)的负极分别通过导线与所述天线阵元的负极连接，直流电压源(31)的正极分别通过由导线依次连接的限流电阻(32)、电容(33)与所述天线阵元的正极连接。

5.根据权利要求1所述的自聚焦微透镜光电导阵列天线，其特征在于，所述GaAs光电导阵列天线(2)的衬底是利用液拉直封法制备的＜100＞径向的SI-GaAs衬底，其电阻率高于10⁷Ω·cm；在所述SI-GaAs衬底上使用光刻技术制备所述天线阵元的电极形状，然后通过电子束蒸发在SI-GaAs衬底上分别沉积20-100nm的Ni，50-500nm的Au，20-100nm的Ge和50-100nm的Au，得到天线阵元，再在300℃-400℃的温度范围内快速退火1-2分钟使天线阵元的电极合金化。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的自聚焦微透镜光电导阵列天线，其特征在于，所述天线阵元的电极方向均一致。

7.根据权利要求6所述的自聚焦微透镜光电导阵列天线，其特征在于，所述天线阵元的通态电阻的阻值相同。