[发明专利]一种射频微波器件及微量氮掺杂石墨烯薄膜有效
| 申请号： | 201710456298.0 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN107274958B | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 何大平;吴志鹏;宋荣国 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01B1/04 | 分类号： | H01B1/04;H01B13/00;H01Q1/36 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 崔友明;刘洋 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 射频 微波 器件 微量 掺杂 石墨 薄膜 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮掺杂石墨烯薄膜，其特征在于采用以下方法制备而来：
1)将聚酰亚胺、聚酰胺或氮掺杂石墨烯印刷成膜，厚度控制在5-100μm；50-200℃热压成型，制得石墨烯前驱体薄膜；
2)将所得石墨烯前驱体薄膜置于石墨高温炉，分别经200-600℃与2000-3000℃热处理，最后50-200℃热压成型，制得柔性石墨烯薄膜。
2.如权利要求1所述氮掺杂石墨烯薄膜，其特征在于步骤2中200-600℃与2000-3000℃热处理时间分别为30-180分钟、60-180分钟。
3.一种射频微波器件，包括天线、传输线、滤波器、耦合器、谐振器；
其特征在于所述的天线采用权利要求1或2所述氮掺杂石墨烯薄膜制备而来。
4.如权利要求3所述射频微波器件，其特征在于所述射频微波器件频率范围为10MHz-30GHz。
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