[发明专利]用来监控镍硅化物的形成的方法在审

申请号：	201710455944.1	申请日：	2017-06-16
公开（公告）号：	CN109148313A	公开（公告）日：	2019-01-04
发明（设计）人：	菊蕊	申请（专利权）人：	联华电子股份有限公司;联芯集成电路制造(厦门)有限公司
主分类号：	H01L21/66	分类号：	H01L21/66
代理公司：	北京市柳沈律师事务所 11105	代理人：	陈小雯
地址：	中国台***	国省代码：	中国台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	镍硅化物电子束检测栅极结构制作工艺蚀刻制作工艺快速热处理控制系统信息回馈间隔壁监控基底
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【说明书】：

本发明公开一种用来监控镍硅化物的形成的方法，其步骤包含进行一蚀刻制作工艺在栅极结构的两侧形成间隔壁、进行一快速热处理制作工艺在栅极结构与基底上形成镍硅化物特征、针对镍硅化物特征进行一电子束检测、以及将电子束检测所得到的信息回馈到先进制作工艺控制系统。

技术领域

本发明涉及集成电路制作工艺，特别是涉及一种在制作工艺期间判定缺陷的线上检测方法。

背景技术

一般的集成电路制作工艺会包含形成导体区域与硅化物区域的步骤。例如，镍硅化物(nickel silicide,NiSi)区域可用来作为一接触部位来与源极、漏极以及/或栅极等晶体管部位进行电连接。随着半导体节点或线宽的尺寸变得越来越小，金属硅化制作工艺也变得越来越有挑战性，容易在金属硅化物区域发现明显的缺陷，如镍硅化物形成不完全、硅化物在制作工艺中不当扩张等。这类的缺陷都会影响元件的电性，引起诸如高漏电、开路、短路或造成其他缺陷等问题。特别是上述的诸多问题通常都会在封装前的裸晶针测(chip probing,CP)阶段或是封装后的最终测试(final testing,FT)阶段才被检测出来，在发现到问题的当下可能线上已经处理并产出了许多有同样问题的不良品。故此，现今业界需要一套有效的方法来监控并改善上述的硅化物相关问题。

发明内容

为了因应上述镍硅化物区域易产生缺陷的问题，本发明提出了一套检测方法，其特点在于在形成镍硅化物后就直接线上(inline)即时针对金属硅化物进行电子束检测，其有别于现有技术都在裸晶针测或是最终测试阶段才检测出镍硅化物缺陷的作法，可在线上制作工艺期间就检测出镍硅化物缺陷，并可将检测出的数据直接即时回馈到先进制作工艺控制系统来调整相关制作工艺参数，避免继续产出不良品，并进而对相关制作工艺进行调整。

本发明的其一目的即为提出一种用来监控镍硅化物的形成的方法，其步骤包含提供一基底、在基底上形成栅极结构、在栅极结构与基底上形成一介电层、进行一蚀刻制作工艺使得介电层转变成位于该栅极结构两侧的间隔壁、进行一快速热处理制作工艺在栅极结构与基底上形成镍硅化物特征、针对该镍硅化物特征进行一电子束检测、以及将电子束检测所得到的信息回馈到先进制作工艺控制系统。

本发明的这类目的与其他目的在阅者读过下文以多种附图与绘图来描述的优选实施例细节说明后必然可变得更为明了显见。

本说明书含有附图并于文中构成了本说明书的一部分，使阅者对本发明实施例有进一步的了解。该些附图是描绘了本发明一些实施例并连同本文描述一起说明了其原理。

附图说明

图1至图4为本发明实施例形成镍硅化物特征的流程的截面示意图；

图5为本发明实施例监控镍硅化物的形成的方法流程图；以及

图6为本发明实施例电子束检测所反映出的镍硅化物异常影像图。

主要元件符号说明

100 基底

102 栅极结构

104 栅介电层

106 第一间隔壁

108 介电层