[发明专利]一种压电晶体的制造方法在审
申请号: | 201710455512.0 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN107313109A | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 徐秋峰;张寒贫;张忠伟;张鸿;张坚;陈晓强;沈礼东;陈铖;沈晓燕 | 申请(专利权)人: | 天通控股股份有限公司 |
主分类号: | C30B29/30 | 分类号: | C30B29/30;C30B17/00 |
代理公司: | 浙江杭州金通专利事务所有限公司33100 | 代理人: | 王丽丹,吴关炳 |
地址: | 314412 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 压电 晶体 制造 方法 | ||
1.一种压电晶体的制造方法,其特征在于:使用泡生法来生长压电晶体,晶锭可掏出2~6英寸任意轴向的晶棒,所述泡生法是在长晶过程进入等径段时,采用停止向上提拉或微提拉的方式让晶体自然生长,所述提拉速度<0.1mm/h,同时晶体不旋转,所述长晶过程中,晶体顶端位置不高于坩埚口。
2.根据权利要求1所述压电晶体的制造方法,其特征在于: 压电晶体长晶的具体步骤如下,
(1)热场组装:依次安装热场,同时在铱坩埚内填入适量压电晶体原料;
(2)加热融化:采用电阻加热方式,对铱坩埚进行加热,在12~15小时时加热坩埚内温度到1260℃以上,压电晶体原料融化为熔汤;
(3)引晶:调整主加热器输出功率,液面温度在1260℃~1660℃,形成稳定的热对流,保持恒定加热输出功率5小时以上,使熔汤处于热稳定状态,从对流中心正上方放入籽晶,使籽晶和液面接触,微调整感应加热输出功率在10~100W,使浸入液面的籽晶重量变化不超过0.3~0.5g/h;
(4)放肩:以0.1mm/h的速度缓慢提拉籽晶,以20~100W/h的速率降低主加热输出功率,晶体重量均匀增加;(5)自动生长:当晶体每小时的重量均匀增加后,以10~50W/h的速率降低主加热输出功率,进入程序自动控制阶段;
(6)切离:晶体重量达到设定目标后,以10mm/min的速度,提拉籽晶15~30mm,晶体头部不超过坩埚口,维持加热器输出功率1~2h,然后以25~300W/h的速率降低主加热输出功率;
(7)退火:当热场内温度降低到1200~1350℃时,保持加热输出功率5小时,然后以50~150w/h的速率缓慢降低主和底加热输出功率,实现晶体退火功能;
(8)降温:当热场内温度降低到500℃后,调整感应加热输出功率的下降速率为100~300W/h,直至输出功率为零,再经过24小时的自然降温,然后拆开热场,取出晶体。
3.根据权利要求1所述压电晶体的制造方法,其特征在于:制造的压电晶体为钽酸锂晶体、掺铁钽酸锂晶体或铌酸锂晶体。
4.根据权利要求1所述压电晶体的制造方法,其特征在于:所述热场组装步骤中的热场结构包括外保温层(1)、内保温层(2)、铱环(3)、铱坩埚(4)、主加热器(5)、坩埚台(6)和底部加热器(7)。
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