[发明专利]体声波谐振器及其制造方法

权利要求书

1.一种体声波滤波器装置，包括：

基板；

腔体形成层，设置在所述基板上，以形成腔体；

下电极，设置在所述腔体上；

压电层，设置在所述下电极上；

上电极，设置在所述压电层上；及

温度补偿层，设置在所述下电极的下面并且设置在所述腔体中。

2.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述温度补偿层包括：第一温度补偿层，设置在所述腔体中；第二温度补偿层，设置在所述下电极之下。

3.如权利要求2所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一温度补偿层包含钌或钼。

4.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述腔体形成层包括：

第一牺牲层，设置在第一氧化物层上，所述第一氧化物层设置在所述基板上；

第二氧化物层，设置在所述第一牺牲层上；及

第二牺牲层，设置在所述第二氧化物层上。

5.如权利要求4所述的体声波滤波器装置，其中，

所述腔体包括：第一腔体部，设置在所述第一牺牲层的中部处；第二腔体部，设置在所述第二牺牲层的中部处，且

所述第一腔体部和所述第二腔体部通过所述第二氧化物层划分。

6.如权利要求5所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一腔体部与所述第二腔体部连通。

7.如权利要求5所述的体声波滤波器装置，其中，所述温度补偿层设置在所述第一腔体部上。

8.如权利要求5所述的体声波滤波器装置，其中，所述第一牺牲层包括第一保护壁，所述第一保护壁设置在所述第一腔体部的边缘处并且包含氧化物，所述第二牺牲层包括第二保护壁，所述第二保护壁设置在所述第二腔体部的边缘处并且包含氧化物。

9.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述上电极包括：框架层，设置在所述压电层上；电极层，覆盖所述压电层和所述框架层。

10.如权利要求9所述的体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置还包括：

保护层，使所述上电极的一部分和所述下电极的一部分暴露。

11.如权利要求10所述的体声波滤波器装置，所述体声波滤波器装置还包括：

电极垫，设置在所述上电极和所述下电极的通过所述保护层暴露的所述一部分处。

12.如权利要求1所述的体声波滤波器装置，其中，所述腔体形成层层压在所述基板上。

13.一种制造体声波滤波器装置的方法，包括：

在基板的第一氧化物层上形成包括第一保护壁的第一牺牲层；

在所述第一牺牲层上形成第二氧化物层；

在所述第二氧化物层上形成包括第二保护壁的第二牺牲层；

去除所述第二牺牲层的中部和所述第二氧化物层的中部；

在所述第一牺牲层的去除了所述第二牺牲层的中部和所述第二氧化物层的中部的部分上形成第一温度补偿层；及

在所述第一温度补偿层上形成第二温度补偿层。

14.如权利要求13所述的方法，所述方法还包括：

在所述第二温度补偿层上形成下电极；

形成压电层，以使所述压电层设置在所述第二温度补偿层和所述下电极上；及

形成上电极，以使所述上电极设置在所述压电层上。

15.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

在形成所述下电极、形成所述压电层和形成所述上电极之前，使所述第一温度补偿层和所述第二温度补偿层平坦化，以形成平坦表面，

其中，形成所述下电极还包括在所述平坦表面上形成所述下电极，

其中，形成所述压电层还包括在所述平坦表面上形成所述压电层。

16.如权利要求14所述的方法，所述方法还包括：

去除所述上电极的边缘部和所述压电层的边缘部；

在所述第二牺牲层、所述下电极、所述压电层和所述上电极上设置保护层；

通过去除所述保护层的一部分来使所述上电极的一部分和所述下电极的一部分向外暴露；及

在通过去除所述保护层的所述一部分而向外暴露的所述上电极的所述一部分上以及所述下电极的所述一部分上形成电极垫。