[发明专利]熔丝阵列和存储器装置

说明书

根据本发明的一实施例提供了一种熔丝阵列和存储器装置，熔丝阵列包括多个熔丝以及多个第一D型触发器，多个熔丝用以产生多个数据信号，多个第一D型触发器分别耦接至每一上述熔丝，以接收对应的熔丝所产生的上述数据信号，且传送一时脉信号以及上述数据信号至多个存储器单元包含的多个第二D型触发器，上述第一D型触发器以串联的方式连接，且上述第二D型触发器以串联方式连接。本发明提供的熔丝阵列和存储器装置可以避免信号线过多的情形产生。

技术领域

本发明说明书主要是有关于一存储器装置技术，特别是有关于通过串联的D型触发器传送熔丝阵列的信号的存储器装置技术。

背景技术

为了能够提升半导体存储器的生产良品率和降低生产成本，在存储器装置中的每一存储器单元会配置一冗余存储器。当存储器单元的部分字线或位线发生故障时，就会使用冗余存储器的字线或位线来进行修补。

传统上，会通过激光的方式来熔断熔丝(fuse)，以使得冗余存储器的字线或位线可以取代存储器单元发生故障的字线或位线。然而，随着半导体制造工艺技术的进步，半导体存储器装置所需的尺寸也越来越小。因此，熔丝(或熔丝阵列)会被独立配置在存储器单元之外以节省空间，且每一熔丝都会通过一信号线连接至控制器，以指示是否使用冗余存储器的字线或位线取代存储器单元发生故障的字线或位线。

然而，当所有熔丝被独立配置在存储器单元之外时，也就表示当所需传送的信号越多(即配置的熔丝越多)，所需的信号线的数量也会因而增加。因此，信号线将会占用了许多半导体存储器的布线(layout)面积，使得布线的难度也会因而增加。

发明内容

有鉴于上述先前技术的问题，本发明提供了通过串联的D型触发器传送熔丝阵列的信号的熔丝阵列和存储器装置。

根据本发明的一实施例提供了一种熔丝阵列。上述熔丝阵列包括多个熔丝以及多个第一D型触发器。多个熔丝用以产生多个数据信号。多个第一D型触发器分别耦接至每一上述熔丝，以接收对应的熔丝所产生的上述数据信号，且传送一时脉信号以及上述数据信号至多个存储器单元包含的多个第二D型触发器。上述第一D型触发器以串联的方式连接，且上述第二D型触发器以串联方式连接。

根据本发明的一实施例提供了一种存储器装置。上述存储器装置包括多个存储器单元、一时脉产生器以及一熔丝阵列。每一上述存储器单元包含一存储器阵列以及一冗余阵列。时脉产生器用以产生时脉信号。熔丝阵列包括多个熔丝以及多个第一D型触发器。多个熔丝会产生多个数据信号。多个第一D型触发器耦接上述时脉产生器以接收上述时脉信号，且分别耦接至上述熔丝之一者，以接收对应的熔丝所产生的上述数据信号。此外，多个第一D型触发器传送上述时脉信号以及上述数据信号至上述每一存储器单元包含的多个第二D型触发器。上述多个第一D型触发器和上述多个第二D型触发器以串联的方式连接，且上述多个第一D型触发器和上述多个第二D型触发器的数量相同。

关于本发明其他附加的特征与优点，此领域的熟习技术人士，在不脱离本发明的精神和范围内，当可根据本案实施方法中所揭露的存储器装置，做些许的更动与润饰而得到。

附图说明

图1为显示根据本发明的一实施例所述的存储器装置100的方块图。

图2为显示根据本发明的一实施例所述的存储器单元110的示意图。

图3为显示根据本发明的一实施例所述的熔丝阵列120的示意图。

图4为显示根据本发明的一实施例所述的D型触发器D1和D型触发器D2的连接关系的示意图。

图5A为显示根据本发明的一实施例所述的通过熔丝阵列120调整多个电路200的示意图。

图5B为显示根据本发明的一实施例所述的D型触发器D3和D型触发器D4的连接关系的示意图。

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