[发明专利]一种忆阻器的Simulink模型建立方法

权利要求书

1.一种忆阻器的Simulink模型建立方法，其特征在于，包括：

根据忆阻器的氧空位预设初始浓度，以及掺杂区的氧空位实时浓度与施加电压的关系，建立所述掺杂区的氧空位实时浓度模型；

基于P型半导体电阻率定义，根据所述氧空位实时浓度模型，计算出所述掺杂区的实时电阻率；

根据所述实时电阻率、非掺杂区电阻率以及所述忆阻器的参数，分别计算出掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻；

根据所述掺杂区实时电阻和所述非掺杂区实时电阻，建立所述忆阻器的亿阻值模型；

基于所述亿阻值模型，建立simulink模型。

2.如权利要求1所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述氧空位实时浓度模型具体为其中，n₀为所述氧空位预设初始浓度，U(t)为所述施加电压。

3.如权利要求2所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述基于P型半导体电阻率定义，根据所述氧空位实时浓度模型，计算出所述掺杂区的实时电阻率包括：

将所述忆阻器作为P型半导体，根据所述氧空位实时浓度模型计算出所述掺杂区的所述实时电阻率；

其中，所述实时电阻率为q为电子电荷，u为离子迁移率。

4.如权利要求3所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述根据所述实时电阻率、非掺杂区电阻率以及所述忆阻器的参数，分别计算出掺杂区实时电阻和非掺杂区实时电阻包括：

获取所述忆阻器的总长度参数、掺杂区长度参数和所述非掺杂区电阻率；

根据所述实时电阻率、所述总长度参数以及所述掺杂区长度参数，计算出所述掺杂区实时电阻；

根据所述非掺杂区电阻率、所述总长度参数以及所述掺杂区长度参数，计算出所述非掺杂区实时电阻；

其中，所述掺杂区实时电阻为w(t)为所述掺杂区长度随时间变化关系，s为所述忆阻器的横截面积；所述非掺杂区实时电阻为D为所述总长度参数，p_非掺杂为所述非掺杂区电阻率。

5.如权利要求4所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述根据所述掺杂区实时电阻和所述非掺杂区实时电阻，建立所述忆阻器的亿阻值模型包括：

将所述掺杂区实时电阻和所述非掺杂区实时电阻相加，得出所述亿阻值模型；

其中，所述亿阻值模型为

6.如权利要求1至5任一项所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，所述基于所述亿阻值模型，建立simulink模型包括：

基于所述忆阻器模型，利用simulink中的比例增益运算、乘法器、加分器以及积分器，搭建所述simulink模型。

7.如权利要求6所述的Simulink模型建立方法，其特征在于，在所述基于所述亿阻值模型，建立simulink模型之后还包括：

获取多个预设输入信号；

基于所述simulink模型，依次输出多个所述预设输入信号的电流电压曲线。