[发明专利]一种半导体激光器波长稳定系统和实现方法在审
| 申请号: | 201710447570.9 | 申请日: | 2017-06-14 |
| 公开(公告)号: | CN107093839A | 公开(公告)日: | 2017-08-25 |
| 发明(设计)人: | 樊英民;王警卫;吴迪;吴的海;李小宁;侯栋;刘兴胜 | 申请(专利权)人: | 西安域视光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01S5/068 | 分类号: | H01S5/068;H01S5/024 |
| 代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司61211 | 代理人: | 胡乐 |
| 地址: | 710077 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 半导体激光器 波长 稳定 系统 实现 方法 | ||
技术领域
本发明属于半导体激光器泵浦领域,具体涉及一种使半导体激光器波长稳定的方法及系统。
背景技术
半导体激光器的波长受工作温度和电流的影响具有显著的漂移,例如对一般的808nm或9xx半导体激光器,具有0.2~0.3nm/℃的漂移系数,波长的漂移会影响半导体激光器的应用。例如半导体激光器用于固体激光器泵浦时,波长漂移会造成与固体激光器增益介质吸收谱的不匹配,导致泵浦效率的下降。
目前常用的波长稳定技术包括以下三种方法,但均存在问题,以泵浦应用举例:
1)使用体布拉格光栅(VBG)锁定波长:VBG波长锁定技术尽管可以将温度漂移系数控制在约0.01nm/℃,但在技术实现时需要使用光学准直透镜(例如快轴准直透镜FAC)和VBG元件,总体积较大,限制了其在高功率侧泵模块中的应用;
2)使用DFB(Distributed Feedback)或DBR(Distributed Bragg Reflector)激光器结构:DFB或DBR半导体激光器的功率密度相对较低,且其制造成本偏高,使其难以应用于高功率泵浦源;
3)使用水冷或TEC(Thermal‐electric Cooler)等控制激光器的工作温度等方法通过水冷或TEC控温维持半导体激光器的光谱稳定输出是目前在高功率泵浦中使用较多的方法,但控温系统一般需要对整个泵浦模块进行温度调节,由于控温用的冷源或热源与半导体激光器之间的传热路径相对较长,因此其响应时间较慢;此外,控温系统会增加整个泵浦模块的总体积。在一些特殊的应用场合(例如航空、航天、军事等),对激光器的体积和响应时间要求非常严格,而水冷或TEC控温系统的这些缺点限制了其在这些特殊条件下的应用。
中国专利申请“CN201310738768‐一种适应低温环境的半导体激光器系统及其波长调节方法”提出了在低温条件下,通过加载直流偏置电流能够引起温升,使得半导体激光器正常启动,并调谐半导体激光器的波长。该文献的图2以及说明书中提到“半导体激光器的波长与输入的直流偏置电流的线性关系”。该方法为了确定合适的直流偏置输入来获得期望的波长和功率,需要在确定的温度条件下进行标定实验,通过光谱仪器测量波长,推算出波长‐电流关系,再进行手动调整电流。然而,半导体激光器在实际应用中很多情况下很难使用光谱仪去实时检测波长,而且在温度变化频繁的环境下,上述方案很难精确、快速地实现波长稳定。该方案更多的是提供了一种新的低温启动的思路,并在一定条件下利用实验标定得到的函数关系简单实现对波长的粗调。当通过加载直流偏置电流对半导体激光器的结温进行调节时,半导体激光器的结温和激光器所在热沉温度之间存在一定的温度梯度,并且该梯度会随着外界环境的变化而改变,因此无法采用类似TEC控温的PID反馈方法进行控制结温,使其处于特定的值。因此如何选择方便测量的反馈信号,找到快速、简便的反馈控制方法,是实现基于偏置电流波长稳定技术的难点。所以,上述方案未见实际推广应用。目前普遍仍采用前述三种调节方法。
发明内容
为了适应于复杂的应用环境,简便、快速、准确地稳定半导体激光器输出波长,本发明提出一种新的半导体激光器波长稳定系统和实现方法。
半导体激光器的结温与激光器所在热沉温度之间存在一定的温度梯度,并且该梯度会随着外界环境的变化而改变,因此这两者并不是固定的线性关系。但是,申请人通过大量的实验以及研究分析,得出:当采用通过加载直流偏置电流引起温升的方式调节结温,则半导体激光器所在热沉的温度与需要加载的直流偏置电流(以调节结温促使波长稳定)这两者恰好呈线性关系。本发明还确立了相应的数学模型。
据此,本发明提出以下技术方案:
该半导体激光器波长稳定系统,包括控制单元、驱动电源、热沉以及用于检测热沉温度的温度传感器;所述驱动电源为可调节正向偏置电流的脉冲电流源;半导体激光器和温度传感器均设置于热沉上,控制单元内置有表达偏置电流与热沉温度之间关系的数学模型,用于根据检测得到的热沉温度值计算出需要加载的直流偏置电流值;
所述数学模型为:I=aT+b;
式中,I为需要加载的直流偏置电流值,T为热沉温度,a为与温漂系数和热阻有关的常数,b为热沉温度为0度时的偏置电流值;a、b的取值还与温度传感器在热沉上与半导体激光器芯片的相对位置有关。
在以上方案的基础上,本发明还进一步作了如下优化:
上述热沉采用Cu或者CuW。
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