[发明专利]阵列基板、显示面板和显示装置有效
申请号: | 201710447181.6 | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN107085337B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 郑斌义;沈柏平 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1343 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括多个矩阵排列的像素区域,其特征在于,
每一所述像素区域的显示开口区包括多层功能膜层,所述多层功能膜层包括衬底,以及沿远离所述衬底出光侧表面的方向依次形成的缓冲层、栅极绝缘层、第一层间绝缘层、平坦化层和电极膜层结构;
其中,所述电极膜层结构包括像素电极、公共电极,以及位于所述像素电极和所述公共电极之间的第一钝化层;任意一层所述功能膜层的折射率,大于等于该功能膜层与所述衬底之间的各功能膜层的折射率,且大于等于所述衬底的折射率;
每一所述像素区域还包括非开口区;
所述非开口区包括分别与所述衬底、所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层以及所述平坦化层同层形成且材料相同的功能膜层;
所述非开口区中的第一层间绝缘层和平坦化层之间还包括有第二层间绝缘层;
所述衬底、所述缓冲层、所述栅极绝缘层和所述第一层间绝缘层的材质包括氧化硅;所述第一钝化层的材质包括氮化硅;所述第二层间绝缘层的材质包括氮化硅。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿远离所述衬底出光侧表面的方向,所述电极膜层结构依次包括所述公共电极、所述第一钝化层和所述像素电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿远离所述衬底出光侧表面的方向,所述电极膜层结构依次包括所述像素电极、所述第一钝化层和所述公共电极。
4.根据权利要求2或3所述的阵列基板,其特征在于,
所述第二层间绝缘层和所述非开口区中的平坦化层之间还包括有数据线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述非开口区中的平坦化层上还包括有依次排列的触控走线、第二钝化层,以及与所述第一钝化层同层形成且材质相同的功能膜层;所述公共电极复用为触控电极,所述触控走线与所述公共电极电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,当沿远离所述衬底出光侧表面的方向,所述电极膜层结构依次包括所述像素电极、所述第一钝化层和所述公共电极时,
所述非开口区中的第一钝化层上还包括有与所述公共电极同层形成且材质相同的功能膜层。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,当沿远离所述衬底的方向,所述电极膜层结构依次包括所述公共电极、所述第一钝化层和所述像素电极时,
所述显示开口区中的平坦化层和公共电极之间还包括有与所述第二钝化层同层形成且材质相同的功能膜层。
8.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,
所述平坦化层的材质包括有机材料;
所述公共电极和所述像素电极的材质包括氧化铟锡。
9.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述衬底、所述缓冲层、所述栅极绝缘层、所述第一层间绝缘层和所述平坦化层的折射率均小于等于1.5;
所述公共电极、所述第一钝化层和所述像素电极的折射率均大于等于1.8。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,沿远离所述衬底出光侧表面的方向,所述多层功能膜层中任意层叠的三层功能膜层,依次为第一功能膜层、第二功能膜层和第三功能膜层;
其中,所述第一功能膜层的折射率为n1,所述第二功能膜层的折射率为n2,所述第三功能膜层的折射率为n3;
所述第一功能膜层、所述第二功能膜层和所述第三功能膜层的折射率满足第一公式:
同时,所述第二功能膜层的厚度h2满足第二公式:
其中,λ为入射光的波长,m为自然数。
11.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,还包括触控结构,所述触控结构包括至少一层触控电极层。
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