[发明专利]通过电流加热半导体器件的高温特性测试方法及装置

权利要求书

1.一种通过电流加热半导体器件的高温特性测试方法，其特征是，所述高温特性测试方法包括如下步骤：

步骤1、提供待测试的半导体器件、用于向半导体器件内注入加热电流的电源(9)、用于对待测试半导体器件进行结温测试的结温测试系统(8)以及用于测试半导体器件高温特性的高温特性测试系统(1)，所述半导体器件能与高温特性测试系统(1)、结温测试系统(8)以及电源(9)适配连接；

步骤2、校准上述待测试半导体器件的温敏参数TSP与结温的关系曲线，并确定待测试半导体器件的测试目标温度T_j-test；

步骤3、控制电源(9)与待测试半导体器件电连接，以使得电源(9)向待测试半导体器件内输入电流；

步骤4、在对半导体器件通电所需时间后，利用结温测试系统(8)测试所述半导体器件的温敏参数TSP，并利用测试得到的温敏参数TSP计算半导体器件当前的结温；

步骤5、若上述结温测试系统测试得到半导体器件的结温与测试目标温度T_j-test间的差值大于预设阈值时，重复上述步骤4，直至半导体器件的结温与测试目标温度T_j-test间的差值与预设阈值匹配，并执行步骤6；

步骤6、控制高温特性测试系统(1)与待测试半导体器件的电连接，以利用高温特性测试系统(1)测试半导体器件的高温特性。

2.根据权利要求1所述的通过电流加热半导体器件的高温特性测试方法，其特征是：所述待测试半导体器件为具有温敏参数TSP的半导体器件，半导体器件的温敏参数TSP包括PN结或肖特基结在恒定直流电流条件下的导通压降。

3.根据权利要求1所述的通过电流加热半导体器件的高温特性测试方法，其特征是：所述待测试半导体器件通过开关S1、开关S2、开关S3分别与高温特性测试系统(1)、电源(9)以及结温测试系统(8)连接；

开关S1、开关S2以及开关S3与测试控制器(10)连接，测试控制器(10)能控制开关S1、开关S2以及开关S3的开关状态；开关S1闭合时，待测试半导体器件能与高温特性测试系统(1)电连接；开关S2闭合时，待测试半导体器件与电源(9)电连接；开关S3闭合时，待测试半导体器件与结温测试系统(8)电连接。

4.根据权利要求3所述的通过电流加热半导体器件的高温特性测试方法，其特征是：所述电源(9)为恒流源或恒压源，开关S1、开关S2、开关S3的类型包括IGBT、MOSFET或GTO。

5.一种通过电流加热半导体器件的高温特性测试装置，其特征是：包括用于向半导体器件内注入加热电流的电源(9)、用于对半导体器件进行结温测试的结温测试系统(8)以及用于测试半导体器件高温特性的高温特性测试系统(1)，高温特性测试系统(1)、结温测试系统(8)以及电源(9)通过开关电路与待测试半导体器件电连接，所述开关电路、高温特性测试系统(1)、结温测试系统(8)以及电源(9)均与测试控制器(10)电连接，测试控制器(10)通过开关电路的工作状态能控制待测试半导体器件与高温特性测试系统(1)、结温测试系统(8)和/或电源(9)的电连接；

测试控制器(10)控制电源(9)与待测试半导体器件电连接，以使得电源(9)向待测试半导体器件内输入电流；

在对半导体器件通电所需时间后，利用结温测试系统(8)测试所述半导体器件的温敏参数TSP，并利用测试得到的温敏参数TSP计算半导体器件当前的结温；

若结温测试系统测试(8)得到半导体器件的结温与测试目标温度T_j-test间的差值大于预设阈值时，重复上述通电与测试过程，直至半导体器件的结温与测试目标温度T_j-test间的差值与预设阈值匹配；

测试控制器(10)控制高温特性测试系统(1)与待测试半导体器件的电连接，以利用高温特性测试系统(1)测试半导体器件的高温特性。