[发明专利]用于确定半导体器件中的目标结构的形貌参数的方法和设备有效
| 申请号: | 201710442518.4 | 申请日: | 2017-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN109084721B | 公开(公告)日: | 2021-09-21 |
| 发明(设计)人: | 张晓琳;符祖标;施耀明;徐益平 | 申请(专利权)人: | 睿励科学仪器(上海)有限公司 |
| 主分类号: | G01B21/20 | 分类号: | G01B21/20 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 确定 半导体器件 中的 目标 结构 形貌 参数 方法 设备 | ||
1.一种用于确定半导体器件中的目标结构的形貌参数的方法,包括:
提供包括与所述目标结构对应的参考结构的参考图像;
基于所述参考结构的轮廓和包括所述目标结构的图像,确定所述目标结构的轮廓;以及
基于所述目标结构的轮廓,确定所述目标结构的形貌参数,所述形貌参数包括所述半导体器件的尺寸,所述尺寸包括高度和相关角度,
其中确定所述目标结构的轮廓包括:
所述目标结构的图像与所述参考图像配准;以及
通过分析包括所述目标结构的图像的在所述参考结构的轮廓的法线方向上的灰度分布,确定所述目标结构的轮廓。
2.根据权利要求1所述的方法,其中提供包括与所述目标结构对应的参考结构的参考图像包括:
在包括所述参考结构的图像中获得所述参考结构的参考轮廓;
根据所述参考轮廓的法线方向上的灰度分布,获得所述参考结构的轮廓;以及
基于所述参考结构的轮廓从包括所述参考结构的图像获得所述参考图像,其中在所述参考图像中,所述参考结构的轮廓外部的灰度值为0。
3.根据权利要求1所述的方法,其中将包括所述目标结构的图像与所述参考图像配准包括:
使用所述参考图像扫描包括所述目标结构的图像,并且计算所述参考图像与包括所述目标结构的图像之间的作为位置和灰度的函数的相关因子;以及
如果所述相关因子的最大值大于或等于阈值,则在所述相关因子的最大值所处的位置处将所述参考结构的轮廓叠加在包括所述目标结构的图像上。
4.根据权利要求3所述的方法,其中将包括所述目标结构的图像与所述参考图像配准还包括:
如果所述相关因子的最大值小于阈值,则更换所述参考图像。
5.根据权利要求3所述的方法,其中将包括所述目标结构的图像与所述参考图像配准还包括:
预处理所述参考图像和包括所述目标结构的图像中的至少一个,以实现以下各项中的至少一项:
所述参考图像中的所述参考结构的倾斜角与包括所述目标结构的图像中的所述目标结构的倾斜角相等;以及
所述参考图像中的像素尺寸与包括所述目标结构的图像中的像素尺寸相等。
6.根据权利要求1所述的方法,其中基于所述目标结构的轮廓,确定所述目标结构的形貌参数包括:
基于所述目标结构的轮廓,从包括所述目标结构的图像获得包括所述目标结构的目标图像,其中在所述目标图像中,所述目标结构的轮廓外部的灰度值为0;以及
基于所述目标图像的灰度分布,确定所述目标结构的形貌参数。
7.一种用于确定半导体器件中的目标结构的形貌参数的设备,包括:
提供模块,用于提供包括与所述目标结构对应的参考结构的参考图像;
第一确定模块,用于基于所述参考结构的轮廓和包括所述目标结构的图像,确定所述目标结构的轮廓;以及
第二确定模块,用于基于所述目标结构的轮廓,确定所述目标结构的形貌参数,所述形貌参数包括所述半导体器件的尺寸,所述尺寸包括高度和相关角度,
其中所述第一确定模块包括:
配准单元,用于将包括所述目标结构的图像与所述参考图像配准;以及
第一确定单元,用于通过分析包括所述目标结构的图像的在所述参考结构的轮廓的法线方向上的灰度分布,确定所述目标结构的轮廓。
8.根据权利要求7所述的设备,其中所述提供模块包括:
第一获得单元,用于在包括所述参考结构的图像中获得所述参考结构的参考轮廓;
第二获得单元,用于根据所述参考轮廓的法线方向上的灰度分布,获得所述参考结构的轮廓;以及
第三获得单元,用于基于所述参考结构的轮廓从包括所述参考结构的图像获得所述参考图像,其中在所述参考图像中,所述参考结构的轮廓外部的灰度值为0。
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