[发明专利]隧穿场效晶体管结构与其制作方法

权利要求书

1.一种隧穿场效晶体管(tunnel field-effect transistor，TFET)结构，包含：

基底，其上包含有鳍状结构，其中该鳍状结构包含有一第一导电型态；

介电层，位于该基底以及该鳍状结构上，该介电层包含有栅极凹槽；

栅极结构，位于该栅极凹槽内，该栅极结构包含有栅极导电层以及功函数金属层，其中该功函数金属层包含有左部分、右部分以及位于该左部分与该右部分之间的中央部分，其中该中间部分的材质与该左部分以及该右部分不同；以及

源极以及漏极，分别位于该基底上的该鳍状结构两侧。

2.如权利要求1所述的隧穿场效晶体管结构，其中该左部分、该右部分与该中央部分位于同一水平面上。

3.如权利要求1所述的隧穿场效晶体管结构，其中该左部分与该右部分的材质相同。

4.如权利要求3所述的隧穿场效晶体管结构，其中该左部分与该右部分材质包含有铝化钛。

5.如权利要求1所述的隧穿场效晶体管结构，其中该中央部分材质包含有氮化钛或氮化钽。

6.如权利要求1所述的隧穿场效晶体管结构，其中该漏极包含有该第一导电型态。

7.如权利要求6所述的隧穿场效晶体管结构，其中该源极包含有第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。

8.如权利要求1所述的隧穿场效晶体管结构，其中该鳍状结构的一顶面、该源极的一顶面以及该漏极的一顶面互相切齐。

9.如权利要求1所述的隧穿场效晶体管结构，还包含有高介电常数层(high-k)以及底阻障层位于该栅极凹槽内。

10.一种隧穿场效晶体管(tunnel field-effect transistor，TFET)的制作方法，包含：

提供一基底，其上包含有一鳍状结构，其中该鳍状结构包含有一第一导电型态；

形成一介电层，位于该基底以及该鳍状结构上；

形成一栅极凹槽于该介电层中；

在该栅极凹槽内形成一第一功函数金属层，该第一功函数金属层至少定义有一左部分、一右部分以及一中央部分；

进行一蚀刻步骤，以移除该第一功函数金属层的该中央部分，并形成一凹槽于该第一功函数金属层的该左部分以及该右部分之间；以及

形成一第二功函数金属层，至少填入该凹槽。

11.如权利要求10所述的制作方法，其中该第一功函数金属层与该第二功函数金属层包含不同材质。

12.如权利要求11所述的制作方法，其中该第一功函数金属层材质包含有铝化钛。

13.如权利要求11所述的制作方法，其中该第二功函数金属层材质包含有氮化钛或氮化钽。

14.如权利要求10所述的制作方法，还包含形成源极以及漏极，分别位于该基底上的该鳍状结构两侧。

15.如权利要求14所述的制作方法，其中该鳍状结构与该漏极包含有一第一导电型态。

16.如权利要求15所述的制作方法，其中该源极包含有一第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。

17.如权利要求10所述的制作方法，还包含形成一栅极导电层于该第二功函数金属层上。

18.如权利要求10所述的制作方法，其中该第一功函数金属层的该左部分、该右部分与该中央部分位于同一水平面上。