[发明专利]太阳能电池模块有效
申请号: | 201710441809.1 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107507880B | 公开(公告)日: | 2019-03-15 |
发明(设计)人: | 文强石 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 模块 | ||
太阳能电池模块包括:多个化合物半导体太阳能电池,各个所述化合物半导体太阳能电池均包括:化合物半导体基板、位于所述化合物半导体基板的前表面上的第一电极部、位于所述化合物半导体基板的背表面处的绝缘基板、位于所述化合物半导体基板的背表面与所述绝缘基板的前表面之间的第二电极部、以及将所述绝缘基板附接至所述第二电极部的绝缘粘合剂;导电连接构件,所述导电连接构件将两个相邻化合物半导体太阳能电池彼此电连接;导电粘合剂,所述导电粘合剂将所述导电连接构件附接至所述化合物半导体太阳能电池的相应电极部;前基板,所述前基板位于所述化合物半导体太阳能电池上;以及背基板,所述背基板位于所述化合物半导体太阳能电池的下面。
技术领域
本申请涉及太阳能电池模块。
背景技术
化合物半导体不是由诸如硅(Si)和锗(Ge)的单个元素制成,而是由两种或更多种元素的组合形成以用作半导体。目前,各种化合物半导体已经被开发并且用于各种领域。化合物半导体通常用于诸如发光二极管和激光二极管的发光元件、利用光电转换效应的太阳能电池、利用珀尔帖效应的热电转换元件等。
化合物半导体太阳能电池在吸收太阳光并产生电子-空穴对的光吸收层中使用化合物半导体。光吸收层是使用诸如GaAs、InP、GaAlAs和GaInAs的III-V化合物半导体、诸如CdS、CdTe和ZnS的II-VI化合物半导体、诸如CuInSe2的I-III-VI化合物半导体等来形成的。
各自均具有上述配置的多个化合物半导体太阳能电池串联或并联连接以配置太阳能电池模块。
图1示意性地例示了根据现有技术的化合物半导体太阳能电池的配置。
图1中所示的化合物半导体太阳能电池包括由金属层形成的背电极10、形成在背电极10上的半导体层20、以及形成在半导体层20上的多个栅格电极30。半导体层20由化合物半导体形成,并且被部分地去除以暴露背电极10的一端(图1中的右端)。
太阳能电池模块中各自均具有上述配置的相邻化合物半导体太阳能电池彼此串联和/或并联连接。例如,如图2所示,导电连接构件40的一端通过焊接而被附接至第一太阳能电池的背电极10,并且导电连接构件40的另一端通过焊接而被附接至第二太阳能电池的栅格电极30。因此,多个太阳能电池串联连接。
然而,因为在高温下执行用于将导电连接构件40附接至相应电极的焊接,所以半导体层20可能由于使用焊接的附接处理中产生的热量而变形。
分别附接至导电连接构件40的两端的背电极10和栅格电极30分别被设置在半导体层20的前表面和背表面,半导体层20置于背电极10与栅格电极30之间。因此,由于背电极10与栅格电极30之间的高度差而难以使用导电连接构件40执行附接处理。
发明内容
因此,本公开的目的在于提供一种能够解决上述和其它问题的包括化合物半导体太阳能电池的太阳能电池模块。
在一方面,提供了一种太阳能电池模块,该太阳能电池模块包括:多个化合物半导体太阳能电池,各个所述化合物半导体太阳能电池均包括:包括光吸收层的化合物半导体基板、位于所述化合物半导体基板的前表面上的第一电极部、位于所述化合物半导体基板的背表面处并且支撑所述化合物半导体基板的绝缘基板、位于所述化合物半导体基板的背表面与所述绝缘基板的前表面之间并且向所述化合物半导体基板的端部的外部延伸的第二电极部、以及将所述绝缘基板附接至所述第二电极部的绝缘粘合剂;导电连接构件,所述导电连接构件将两个相邻化合物半导体太阳能电池彼此电连接;导电粘合剂,所述导电粘合剂将所述导电连接构件附接至所述化合物半导体太阳能电池的相应电极部,所述导电粘合剂包括低温可固化浆料;前基板,所述前基板位于所述多个化合物半导体太阳能电池上;以及背基板,所述背基板位于所述多个化合物半导体太阳能电池的下面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的