[发明专利]掺钛氧化镓晶体及其制备方法与应用有效
申请号: | 201710440548.1 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107201543B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 贾志泰;穆文祥;陶绪堂 | 申请(专利权)人: | 山东大学 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B28/02;C30B15/00 |
代理公司: | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人: | 杨磊 |
地址: | 250199 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化 晶体 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种超快激光晶体或可调谐激光晶体的制备方法,该激光晶体为掺钛氧化镓晶体,该晶体分子式为
包括步骤如下:
(1)原料的选取和处理
将氧化镓和氧化钛混合后,在100-200℃下真空干燥2-5小时,将干燥后的原料压成饼状,采用固相烧结法合成掺钛氧化镓多晶料;
(2)晶体生长
a.将掺钛氧化镓多晶料在保护气氛下加热熔化,完全熔化后继续升温10-30℃,恒温1-2小时,降回至完全熔化时的温度,恒温1-2个小时;
b.于高于晶体熔点温度1-5℃下入氧化镓籽晶,进行提拉收颈,当籽晶直径收细至0.5-2 mm时,进行放肩及等径生长;生长过程中晶体的提拉速度:1-20 mm/小时,晶体生长至所需尺寸时,升温5-10℃,恒温5-10分钟后,将晶体提脱;
c.晶体生长结束后,以10-50℃/小时的速率降温到室温;
d:将晶体在惰性气氛或/和氢气气氛下高温退火,具体退火程序如下:将生长获得的掺钛氧化镓晶体升温到900-1350℃并恒温30-100小时,然后缓慢降到室温;即得掺钛氧化镓晶体。
2.根据权利要求1所述的超快激光晶体或可调谐激光晶体的制备方法,其特征在于,退火后的掺钛氧化镓晶体的热导率为13-28W/mK。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的氧化镓为Ga2O3,所述的氧化钛为Ti2O3或TiO2。
4.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中所述的固相烧结法合成掺钛氧化镓多晶料的步骤如下:
将饼状原料于1350-1400℃下烧结30-50小时,获得钛掺氧化镓多晶料。
5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)a中将掺钛氧化镓多晶料装入铱金坩埚中,并放置于铱金模具中,为防止氧化镓高温下剧烈挥发,在坩埚上方加盖铱金上盖密封,铱金上盖与坩埚上沿密封。
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