[发明专利]有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置有效
申请号: | 201710438656.5 | 申请日: | 2017-06-12 |
公开(公告)号: | CN107256879B | 公开(公告)日: | 2020-03-20 |
发明(设计)人: | 程爽;王湘成;牛晶华;滨田;王建云 | 申请(专利权)人: | 上海天马有机发光显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人: | 王刚;龚敏 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示面板,其特征在于,包括:
基板;
第一电极层,所述第一电极层包括阵列排布的第一电极;
第二电极层,所述第二电极层包括至少一个第二电极;
所述第一电极层设置在所述第二电极层和所述基板之间;
有机发光功能层,所述有机发光功能层形成在所述第一电极层和所述第二电极层之间;以及
像素定义层,所述像素定义层划分所述有机发光功能层形成像素阵列,所述像素阵列包括阵列排布的第一色像素、第二色像素和第三色像素;
其中:
所述有机发光功能层包括多个第一光学调整单元、多个第二光学调整单元和至少一个发光层,所述发光层覆盖所述有机发光显示面板的显示区;
各所述第一光学调整单元形成在各所述第一色像素的像素区域内,各所述第二光学调整单元形成在各所述第二色像素的像素区域内,且所述第一光学调整单元的厚度与所述第二光学调整单元的厚度不同;
所述第一色像素所发色光为红光、所述第二色像素所发色光为绿光,所述第三色像素所发色光为蓝光;
所述有机发光功能层包括红光发光层、绿光发光层和蓝光发光层;
所述红光发光层、所述蓝光发光层和所述绿光发光层按照距所述第一电极层由近及远的顺序叠置;
各所述第一光学调整单元形成在所述红光发光层和所述蓝光发光层之间;
各所述第二光学调整单元形成在所述绿光发光层远离所述基板的一侧。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于:
所述第一色像素所发色光的波长大于所述第二色像素所发色光的波长;
所述第一光学调整单元的厚度大于所述第二光学调整单元的厚度。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括彩色滤光层;
所述彩色滤光层包括阵列排布的第一色彩色滤光单元、第二色彩色滤光单元和第三色彩色滤光单元;
其中,各所述第一色彩色滤光单元向所述有机发光功能层的正投影形成在各所述第一色像素的像素区域内,各所述第二色彩色滤光单元向所述有机发光功能层的正投影形成在各所述第二色像素的像素区域内,各所述第三色彩色滤光单元向所述有机发光功能层的正投影形成在各所述第三色像素的像素区域内。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于,还包括电荷产生层;
所述电荷产生层形成于所述红光发光层和所述蓝光发光层之间,且各所述第一光学调整单元形成于所述电荷产生层与所述蓝光发光层之间。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示面板,其特征在于:
各所述第一光学调整单元的空穴迁移率大于电子迁移率;
各所述第二光学调整单元的空穴迁移率小于电子迁移率。
6.根据权利要求1-3任意一项所述的有机发光显示面板,其特征在于:
所述第一电极层位于所述基板和所述第二电极层之间;
所述第一电极为全反射电极,所述第二电极为半反射电极。
7.根据权利要求1-3任意一项所述的有机发光显示面板,其特征在于:
所述第一电极层位于所述基板和所述第二电极层之间;
所述第一电极为半反射电极,所述第二电极为全反射电极。
8.根据权利要求1-3任意一项所述的有机发光显示面板,其特征在于,各所述发光层的掺杂类型为以下任意一者:
无掺杂、单掺杂物掺杂、预混合掺杂以及共掺杂。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海天马有机发光显示技术有限公司,未经上海天马有机发光显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710438656.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的