[发明专利]一种改善MOSFET振铃电源效率的方法

权利要求书

1.一种改善MOSFET振铃电源效率的方法，应用于门级电阻R1，所述门级电阻R1的一端接第一运放的输出端，门级电阻R1的另一端接场效应管Q1的栅极；第一运放的输入端接PWM，第一运放的正极电源分别接电容C1一端和二极管D1负极，二极管D1正极接5V电源，第一运放的负极电源分别接电容C1另一端、场效应管Q1源极、场效应管Q2漏极，场效应管Q1漏极接V_IN；场效应管Q2栅极接第二运放的输出端，场效应管Q2源极接地，第二运放的正极电源接5V电源，第二运放的负极电源接地，第二运放的输入端接PWM，其特征在于，在门级电阻R1处并联一个反向的二极管D2，所述的门级电阻R1位于Buck线路上MOSFET的Gate极。

2.根据权利要求1所述的一种改善MOSFET振铃电源效率的方法，其特征在于，门级电阻R1阻值的选择标准为：振铃情况的严重程度与门级电阻R1的阻值大小成正比。

3.根据权利要求2所述的一种改善MOSFET振铃电源效率的方法，其特征在于，所述的门级电阻R1的阻值不大于3.3欧姆。

4.根据权利要求3所述的一种改善MOSFET振铃电源效率的方法，其特征在于，所述的门级电阻R1为以下阻值中的一种：1.1欧姆、2.2欧姆、3.3欧姆。

5.根据权利要求2所述的一种改善MOSFET振铃电源效率的方法，其特征在于，当Buck线路上没有振铃情况时，门级电阻R1选用0欧姆电阻。

6.根据权利要求1所述的一种改善MOSFET振铃电源效率的方法，其特征在于，所述的二极管D2满足以下条件：二极管D2的正向导通电压不大于0.5V、耐电流大于0.5A。

7.根据权利要求6所述的一种改善MOSFET振铃电源效率的方法，其特征在于，二极管D2的正向导通电压满足以下选择标准：在满足电路导通要求的情况下，二极管D2的正向导通电压越小越好。