[发明专利]石墨的金属化工艺及焊接方法在审
| 申请号: | 201710437226.1 | 申请日: | 2017-06-12 |
| 公开(公告)号: | CN109023262A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
| 发明(设计)人: | 袁博;藏伟;曲维龙 | 申请(专利权)人: | 西安慧泽知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号: | C23C14/32 | 分类号: | C23C14/32;C23C14/18;C23C14/16;B23K1/008 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 710075 陕西省西安市高*** | 国省代码: | 陕西;61 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 焊接 热解石墨 金属化工艺 基体表面 金属化 石墨 微波电真空器件 真空多弧离子镀 技术难题 气密封接 真空器件 氢气炉 沉积 镀层 封接 陶瓷 金属 | ||
本发明公开了一种石墨的金属化工艺及焊接方法,涉及真空器件技术,该金属化方法,采用真空多弧离子镀技术在热解石墨基体表面沉积镀层,该焊接方法,是将热解石墨零件和需要焊接的部件放在氢气炉中焊接。本发明方法,通过对热解石墨基体表面金属化,使其可以很好的与陶瓷或其他金属进行焊接,达到气密封接,解决了封接中存在的技术难题,大大促进了微波电真空器件的发展。
技术领域
本发明涉及真空器件技术领域,是一种石墨的金属化工艺及焊接方法。
背景技术
行波管是一种微波电真空器件,具有高可靠、宽频带、高效率的特点。在电子对抗、雷达、卫星通信等领域有着广泛的应用。作为真空电子器件,多年来一直受到半导体器件的极大挑战和威胁,尤其在中小功率方面为甚。但是,在大功率、尤其是超大功率领域,真空电子器件至今仍具有极其显著的优势。
热解石墨的沉积是在高温、真空条件下进行的化学气相沉积反应,当碳氢化合物气体和稀释气体按一定的比例混合进入加热炉后,碳氢气体就会在炉内分解,分解的单原子碳沉积在石墨基体的热表面上。反应的余气由真空泵连续抽出,碳原子不断的沉积而形成一定的厚度。待炉温降至室温,由于基体收缩量远大于热解石墨,可很方便地从基体上剥离下热解石墨制品。
发明内容
本发明的目的是提供一种石墨的金属化工艺及焊接方法,以解决热解石墨材
料与陶瓷或其他金属气密封接的问题。
为达到上述目的,本发明的技术解决方案是:
一种热解石墨的金属化工艺方法,其包括步骤:
a)将热解石墨材料加工成具体的零件,形成基体;
b)对热解石墨基体进行表面预处理;
c)采用真空多弧离子镀技术在热解石墨基体表面沉积镀层;
d)经镀层的后期处理,得成品。
所述的热解石墨的金属化工艺方法,其所述b)步,是:
1)将热解石墨零件表面进行打磨:用500目、金相砂纸打磨后,以酒精进行超声波清洗2~4分钟,然后使用丙酮进行脱水处理,以此除掉表面的杂质及油污;
2)在真空离子镀膜罐内,真空度≤9×10-3Pa下,对热解石墨零件表面进行离子轰击,偏压1000V加1分钟,400V加1分钟;
3)然后,用Ar气清洗,负偏压350V~450V之间,时间3分钟左右;
4)再辉光清洗:用Ar气,偏压800V~1000V之间,时间3分钟左右。
所述的热解石墨的金属化工艺方法,其所述c)步,是:
1)选用高纯Cr靶材对热解石墨零件表面进行镀Cr膜沉积,沉积参数:电压150V~250V之间,时间20分钟左右;
2)再选用高纯Ni靶材在刚形成的Cr膜上沉积Ni膜,沉积参数:电压100V~200V之间,时间30~50分钟。
所述的热解石墨的金属化工艺方法,其所述d)步,是:
1)将沉积膜层后的热解石墨零件,放入氢气炉中,在氢气保护下,缓慢加热至850℃~1000℃,保温5分钟左右,然后随炉冷却;
2)出炉后,得成品;
3)将成品零件放入恒温恒湿柜中进行保存,防止氧化及污染。
所述的热解石墨的金属化工艺方法,其所述c)步,先用Cr靶材在热解石墨基体表面打底,然后用Ni靶材溅射,Cr膜和Ni膜的膜厚以作业时间长短控制,以保证与基体牢固结合以及与其它金属连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安慧泽知识产权运营管理有限公司,未经西安慧泽知识产权运营管理有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710437226.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类





