[发明专利]一种异性钐钴磁体结构在审
| 申请号： | 201710434579.6 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107068326A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 张华川 | 申请（专利权）人： | 张华川 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F1/055 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 437600 湖北省咸宁*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 异性 磁体 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种异性钐钴磁体结构，所述异性钐钴磁体结构包括呈内凹的弧形片状钐钴磁体本体、设置在该钐钴磁体本体内端面上的环形内凸台以及设置在该环形内凸台端面上的温度传感器安装孔和位移传感器安装孔，其特征在于：所述环形内凸台其端面上沿其弧形方向还分别开设有多条弧形凹槽，每一所述弧形凹槽其槽深为3mm-6mm，所述弧形凹槽其宽度为1mm-3mm，并且相邻之间的所述弧形凹槽其间距不小于5mm。
2.根据权利要求1所述的一种异性钐钴磁体结构，其特征在于：所述环形凸台与所述钐钴磁体本体在竖直方向两侧之间还设置有用于减轻应力集中的过渡槽。
3.根据权利要求2所述的一种异性钐钴磁体结构，其特征在于：所述过渡槽开设在所述钐钴磁体本体的中间位置。
4.根据权利要求2或3所述的一种异性钐钴磁体结构，其特征在于：所述过渡槽的槽深为1mm-3mm，其槽宽为4mm-7mm。
5.根据权利要求4所述的一种异性钐钴磁体结构，其特征在于：所述过渡槽与所述环形凸台相交处设置有圆弧过渡位结构。
6.根据权利要求5所述的一种异性钐钴磁体结构，其特征在于：所述钐钴磁体本体其端面上沿其弧形方向还开设有多个间隔布置的用于减轻应力集中的圆柱孔。
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