[发明专利]封装结构

说明书

技术领域

本发明实施例关于封装结构，更特别关于封装结构中凸块的配置方式。

背景技术

随着半导体技术不断进化，半导体管芯变得越来越小。然而这些半导体管芯需整合更多功能。综上所述，这些半导体管芯具有越来越大量的输入/输出垫封装到更小的区域中，且输入/输出垫的密度快速增加。如此一来，半导体管芯的封装越来越困难。

封装技术可分为多个领域。在封装的领域之一中，先自晶片切割管芯，再将管芯封装至其他晶片上，且只有已知良好管芯可进行封装。这种封装技术的好处在于可形成扇出式芯片封装，即管芯上的输入/输出垫可再布线至比管芯本身还大的区域。如此一来，可增加封装于管芯表面上的输入/输出垫数目。

为了进一步改善半导体管芯的密度与功能，已发展新的封装技术。这些用于半导体管芯的较新封装技术面临制程挑战，且仍无法完全适用于所有方面。

发明内容

本发明一实施例提供的封装结构，包括：成型化合物；集成电路芯片位于成型化合物中，其中集成电路芯片具有芯片边缘；钝化层位于集成电路芯片与成型化合物下；再布线层位于钝化层中；以及多个第一凸块经由再布线层电性连接至集成电路芯片，其中第一凸块位于芯片边缘之内且沿着芯片边缘配置；以及多个第二凸块经由再布线层电性连接至集成电路芯片，其中第二凸块位于芯片边缘之外且沿着芯片边缘配置，第一凸块与第二凸块相邻，第一凸块与芯片边缘分隔，且第二凸块与芯片边缘分隔。

附图说明

图1是一些实施例中，封装结构的剖视图。

图2是一些实施例中，封装结构的上视图。

图3是一些实施例中，封装结构的上视图。

图4是一些实施例中，封装结构的上视图。

【符号说明】

D1、D2、X、Y 距离

P 凸块间距

S 间隔

Z 宽度

100 封装结构

200 集成电路芯片

202 主动表面

210 半导体基板

212 芯片边缘

220 钝化层

230 导电垫

240、290 连接物

250 保护层

260 封装层

262 下表面

270、285、355 导电结构

280 单元

300 再布线结构

310 再布线层

320 钝化层

320A、320B 区域

322 边界

330、330A、330B 凸块

340 凸块下金属化单元

350 基板

360 界面

370 排除区

具体实施方式

下述内容提供的不同实施例或实例可实施本发明的不同结构。特定构件与排列的实施例用以简化本发明而非局限本发明。举例来说，形成第一构件于第二构件上的叙述包含两者直接接触，或两者的间隔有其他额外构件而非直接接触。此外，本发明的多种例子中可重复标号，但这些重复仅用以简化与清楚说明，不代表不同实施例及/或设置之间具有相同标号的单元之间具有相同的对应关系。

此外，空间性的相对用语如「下方」、「其下」、「较下方」、「上方」、「较上方」、或类似用语可用于简化说明某一元件与另一元件在图示中的相对关系。空间性的相对用语可延伸至以其他方向使用的元件，而非局限于图示方向。元件亦可转动90°或其他角度，因此方向性用语仅用以说明图示中的方向。

本发明实施例提供的封装结构具有改良的可信度。封装结构中多种异质材料之间的热膨胀系数不匹配所造成的应力可分散。如此一来，可减缓或消除应力密集造成的封装结构损伤。

封装结构的一些实施例将说明如下。图1是一些实施例中，封装结构的剖视图。此封装结构可包含额外结构。不同实施例可置换或省略一些下述结构。

如图1所示的一些实施例中，封装结构100包含多个集成电路芯片200。在一些实施例中，集成电路芯片200具有主动表面202。集成电路芯片200可为装置芯片/管芯，其可包含电晶体、二极体、或其他合适的集成电路单元。装置芯片亦可包含电容、电感、电阻、其他集成电路单元、或上述的组合。在一些实施例中，集成电路芯片200为感测芯片、逻辑芯片、中央处理器芯片、记忆芯片、或其他合适芯片。集成电路芯片200可具有实质上相同的尺寸或不同尺寸，端视需求而定。