[发明专利]显示器的像素结构

说明书

本发明公开了一种像素结构，包含以矩阵排列的像素。每一像素包括沿着行方向排列的次像素，包括多个第一类型次像素和至少一第二类型次像素。不同行中的次像素交错排列，使得每一次像素列包含相同数量的第二类型次像素。每一次像素具有光阻和设置于其上的间隔物。第二类型次像素的光阻与第一类型次像素的光阻具有截面差，且该截面差大于每一第一类型次像素的间隔物的高度。对于每一第二类型次像素，间隔物底座从相对应的共用电压线延伸，且光阻设置于相对应间隔物底座上以形成截面差。由上可知，每一共用电压线具有相同数量的间隔物底座。

技术领域

本发明有关于显示技术，尤指使用间隔物(photo spacer)底座设计的像素结 构，以及具有此像素结构的显示器，且其采用红绿蓝白颜色模型(RGBW model) 或其他颜色模型。

背景技术

于此所述的现有技术是用以总体上呈现本发明的脉络。登记的发明人的作 品、此段落及实施细节所描述的内容并不适格作为申请时的现有技术，亦不明 示或暗示其可当作核驳本发明的现有技术。

目前液晶显示器(liquid crystal displays,LCDs)为广泛使用的显示装置。液晶显示器可在低耗电的情形下显示具有良好品质的图像，因而时常被用来作为 由电池驱动的电子装置的显示器，所提电子装置的实例为：膝上型电脑、行动 电话、数码相机以及其他可携式装置。

在Tsujimura等人所揭露的美国专利第6,689,629号，其已转让给本申请的 受让人的母公司，AU Optronics Corp.，且其全部内容已并入此案以供参考， 其布线，诸如阵列的扫描线及信号线，由诸如铝或铝合金的低电阻材料构成较 佳，以便增加扫描线和信号线的运作速度。然而，由于铝往往容易氧化。因此，Tsujimura等人揭露了一种两层结构的布线，其具有铝，铝合金或其它低电阻 材料的下层，以及钼，铬，钽，钛，其合金或抗氧化导电材料的上层。Tsujimura还揭露了扫描线和信号线与连接垫接触，由此使阵列连接至驱动系统。Tsujimura亦揭露了形成位于连接垫与像素电极之间，但不与基板上任何布线 连接的伪导电图案(dummy conductive patterns)。藉由增加一给定区域中的导电 材料的密度，伪导电图案可减少蚀刻底切(etch undercut)现象并改善布线的楔形 (tapered)形状。

在液晶显示面板中，可由非晶硅(amorphous silicon)构成薄膜晶体管 (thin-film transistor,TFT)的通道。然而，如Chen所揭露的美国专利第6,818,967 号，其转让给本申请的受让人的母公司，AU Optronics Corp.，且其全部内容 已并入此案以供参考，多晶硅(poly-silicon)通道TFT提供比非晶硅TFT更多的 优势，包括较低的功率和更高的电子迁移速率(electron migration rates)。多晶 硅可藉激光结晶(lasercrystallization)或激光退火技术(laser annealing technique) 将非晶硅转换为多晶硅而形成。激光的使用允许在低于600℃的温度下进行制 造，此制造技术因此被称为低温多晶硅(low temperature poly-silicon,LTPS)。 如Chen所揭露，低温多晶硅的再结晶(re-crystallization)过程导致在多晶硅层的 表面上形成隆起，而这些隆起影响了低温多晶硅薄膜晶体管的电流特性。Chen 揭露了减少低温多晶硅表面隆起尺寸的方法，为藉由执行第一退火处理，然后 执行表面蚀刻处理，例如使用氢氟酸溶液，然后执行第二退火处理。所得到的 低温多晶硅表面将具有高/宽比小于0.2的隆起。接着可以在低温多晶硅层上方 沉积栅极绝缘层、栅极、介电层以及源极和漏极金属层，以形成一完整的低温 多晶硅薄膜晶体管。