[发明专利]一种OLED器件及制造方法有效
申请号: | 201710429192.1 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107221554B | 公开(公告)日: | 2020-06-05 |
发明(设计)人: | 李文杰;吴聪原 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 器件 制造 方法 | ||
一种OLED器件,包括:TFT基板、涂布区、封框胶、盖板以及支撑柱;其中,所述涂布区位于TFT基板中央,封框胶设置在涂布区四周,盖板设置在涂布区和封框胶上,支撑柱用于支撑盖板设置在涂布区上表面。将支撑柱设置在涂布区的表面,降低对位精度,便于加工,同时保持大尺寸面板盒厚均一性,避免了牛顿环的出现。
技术领域
本发明是应用于液晶显示领域里的一种OLED器件及制造方法。
背景技术
有机发光器件OLED(Organic Light Emitting Diode)以其良好的自发光特性、高的对比度、快速响应以及柔性显示等优势,得到了广泛的应用。传统的OLED采用真空蒸镀技术,目前可实现量产化。但是该技术需要采用精细掩模版,导致材料利用率低;另外,如果对于大尺寸面板,掩模版的制备工艺饱受挑战。近些年,印刷显示技术(喷墨打印,Ink jetprinting,IJP)发展迅速。IJP是OLED实现大尺寸以及低成本生产的最佳途径。
采用IJP制备OLED,需要对像素定义层以及衬底电极进行修饰,使得喷墨能够准确落入像素内,并且无溢流现象发生。现有技术中,对喷墨的液滴在不同截面的流动铺展情况进行探究,对衬底进行亲疏水性图案化,液滴在一定着落速度下,会流向亲水界面,具有形成轨迹结构(trace patten)的功能。因此,可以对喷墨接触的衬底电极以及像素定义层表面进行亲疏水图案化(衬底电极为ITO,亲水性表面;像素定义层为疏水性表面),使得喷墨流向像素内。
在OLED器件制备过程中,为了使得封装盖板在外力撞击时不对OLED器件(比如阴极,偏振镜等)造成损伤,使得整个器件有一定的抗压能力,现有技术通常会在TFT基板上制作多个PS(photo spacer,支撑柱)。支撑柱还有另外一个作用,即保持大尺寸面板盒厚均一性,避免牛顿环出现。
喷墨打印制备的OLED所采用的基板像素定义层表面为疏水性,而支撑柱一般为有机光阻,在疏水性表面铺展不开;一般情况会将支撑柱做在盖板上,这样就对设备的对位精度有很高的要求,且不易实施。
发明内容
为了解决上述问题,本发明用喷嘴打印的方式将支撑柱制作在OLED阴极的保护层保持大尺寸面板盒厚均一性,避免牛顿环出现。
一种OLED器件,包括:TFT基板、涂布区、封框胶、盖板以及支撑柱;
其中,所述涂布区位于TFT基板中央,封框胶设置在涂布区四周,盖板设置在涂布区和封框胶上,支撑柱用于支撑盖板设置在涂布区上表面。
所述的OLED器件,其中,涂布区包括多个相互间隔设置的像素定义层和衬底电极层,每个衬底电极层表面覆盖有机半导体层,所述有机半导体层和像素电极层上由下至上依次覆盖有阴极导电层和保护层,所述保护层位于每个像素定义层中央的上表面设置支撑柱。
所述的OLED器件,其中,所述像素定义层靠近有机半导体层的表面具有疏水特性。
所述的OLED器件,其中,所述衬底电极层靠近有机半导体层的表面具有亲水性。
所述的OLED器件,其中,所述支撑柱为有机高分子聚合物,所述有机高分子聚合物为高粘度聚合物。
所述的OLED器件,其中,所述高粘度聚合物的粘度为200Pa·s~2000Pa·s。
所述的OLED器件,其中,所述支撑柱的高度为2~20μm;宽度为1~100μm。
一种OLED器件的制造方法包括以下步骤:
步骤一、在TFT基板中央形成衬底电极层,并对衬底电极层表面进行亲水性处理;
步骤二、在TFT基板上形成像素电极层,并对像素电极层的表面形成疏水性处理;
步骤三、在衬底电极层上设置有机半导体层;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的