[发明专利]一种锡酸镉基透明导电膜、其生产工艺及太阳能电池

权利要求书

1.一种锡酸镉基透明导电膜的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

a）将靶材在含氧气体环境中进行磁控溅射，得到前体CTO基膜；

所述靶材为由SnO₂与CdO组成的靶材，或为Sn-Cd合金靶材；

b）在所述前体CTO基膜表面复合过渡膜层，再在保护性气氛下进行退火，之后再进行酸洗，得到锡酸镉基透明导电膜；

所述过渡膜层为金属膜层；

所述金属膜层为Al膜层；

所述退火的温度为520~550℃。

2.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述步骤a）中，所述气体的气压为5~30mTorr。

3.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述步骤a）中，所述磁控溅射的溅射功率为460~600W。

4.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述步骤a）中，所述由SnO₂与CdO组成的靶材中，SnO₂与CdO的摩尔比为1：（1.9~2.1）。

5.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述步骤b）中，所述Al膜层的厚度为3~10nm。

6.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述保护性气氛为氩气气氛或氮气气氛。

7.权利要求1~6中任一项所述的生产工艺制得的锡酸镉基透明导电膜。

8.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池中的TCO透明导电膜为权利要求7所述的锡酸镉基透明导电膜。