[发明专利]土霉素电化学适体传感器及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种土霉素电化学适体传感器，其特征在于包括：

氧化铁-介孔碳纳米复合材料；

修饰于所述氧化铁-介孔碳纳米复合材料上的土霉素适体链；

其中，所述氧化铁-介孔碳纳米复合材料包括多孔碳纳米片以及Fe₃O₄纳米颗粒，其中部分所述Fe₃O₄纳米颗粒均匀分布在多孔碳纳米片的表面、部分所述Fe₃O₄纳米颗粒嵌入所述多孔碳纳米片内，所述多孔碳纳米片与所述Fe₃O₄颗粒的质量比为10.64:1−26.08:1。

2.根据权利要求1所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于还包括电极基体，所述氧化铁-介孔碳纳米复合材料固定于所述电极基体表面。

3.根据权利要求2所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于：所述电极基体包括金电极。

4.根据权利要求2所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于：所述土霉素适体链的序列为：5‘-CGTA CGGA ATTC GCTA GCCG AGGC ACAG TCGC TGGT GCCT ACCT GGTT GCCGTTGT GTGG ATCC GAGC TCCA CGTG-3’。

5.根据权利要求1所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于：所述Fe₃O₄纳米颗粒的粒径为8−70 nm。

6.根据权利要求5所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于：所述Fe₃O₄纳米颗粒的粒径为40−70 nm。

7.根据权利要求5所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于：所述Fe₃O₄纳米颗粒的粒径为60−70 nm。

8.根据权利要求1所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于：所述多孔碳纳米片为无定型碳基质。

9.根据权利要求1所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于：所述多孔碳纳米片的厚度为3−8 nm，所述多孔碳纳米片的孔径为18.5−29.7 nm。

10.根据权利要求1所述的土霉素电化学适体传感器，其特征在于：所述氧化铁-介孔碳纳米复合材料的比表面积为27.24−315.12 m²·g⁻¹。

11.如权利要求1-10中任一项所述的土霉素电化学适体传感器的制备方法，其特征在于包括：

制备氧化铁-介孔碳纳米复合材料；

将所述氧化铁-介孔碳纳米复合材料分散于溶剂形成均匀悬浮液，将所述均匀悬浮液施加于电极基体上并干燥；

以土霉素适体链的溶液浸润固定于所述电极基体上的氧化铁-介孔碳纳米复合材料，使土霉素适体链修饰于氧化铁-介孔碳纳米复合材料上，形成所述电化学适体传感器。

12.据权利要求11所述的制备方法，其特征在于包括：

提供铁基金属有机框架材料，

以及，将铁基金属有机框架材料以5−7 ℃∙min^-1的升温速率加热至350−900 ℃，并保温煅烧4−6 h，然后自然冷却至室温，获得氧化铁-介孔碳纳米复合材料。

13.据权利要求12所述的制备方法，其特征在于包括：将FeSO₄∙7H₂O，4,4'4''-三甲酸三苯胺，N-甲基甲酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮混合后，于140−160 ℃加热3−5 d，制得所述铁基金属有机框架材料。