[发明专利]一种基于循环伏安法的Ni-B CMMA多层合金制备方法有效
申请号: | 201710426062.2 | 申请日: | 2017-06-08 |
公开(公告)号: | CN107268045B | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 李保松;环宇星;张薇薇 | 申请(专利权)人: | 河海大学 |
主分类号: | C25D3/56 | 分类号: | C25D3/56;C25D15/00;C25D5/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 施昊 |
地址: | 211100 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 循环 伏安 ni bcmma 多层 合金 制备 方法 | ||
本发明公开了一种基于循环伏安法的Ni‑B CMMA多层合金制备方法,以石墨或镍板或不溶性涂层电极为对电极、工件为工作电极,通过循环伏安法周期性调控沉积参数,获得组成和结构能够调控的Ni‑B合金,该Ni‑B合金为CMMA多层结构,其层数为30~1000。本发明采用循环伏安法制备Ni‑B多层合金,相比传统恒电流或恒电位技术,更易实现多层合金的制备,更容易实现对沉积过程、沉积厚度、扫描周期的调控,获得的多层结构大大抑制了涂层贯穿孔的形成,耐蚀性显著提高。
技术领域
本发明属于金属防护和合金制备技术领域,特别涉及了一种Ni-B CMMA多层合金制备方法。
背景技术
Ni基合金以其良好的硬度、耐蚀耐磨性在航空航天、电子器件、海工机械防护领域得到广泛应用,其中电化学方法是制备合金涂层的一种简便、有效的方法。传统的电沉积技术一般通过控制电流来实现。在恒电流沉积中,电流不变但沉积电位是在不断改变的,难以实现沉积电位的精确控制。在电沉积过程中阴极析氢会导致涂层存在毛细孔、贯穿孔或微裂纹缺陷,这些缺陷难以有效控制,限制了其防护性能的提高。目前,恒电流和恒电位沉积方法研究的很多,性能上已基本挖掘殆尽,很难有跨越式提升。
近年研究发现,性能设计和微结构调控是提高涂层性能的有效途径,相同组成厚度的涂层,经过微结构调控后防护性能可以提升近百倍。近年来研究表明,CMMA合金(Composition modulated multilayer alloy)具有比相同组分厚度的合金更优越的性能,已成为先进防护涂层的研究热点。CMMA是一种通过性能设计和结构调控获得的具有多层结构,性能优异的新型金属或合金。Ni-B合金是耐蚀耐磨性能非常好的涂层,但仍然面临贯穿孔问题,贯穿孔缩短了腐蚀介质到达基材金属表面的时间,缩短了其防护寿命。
发明内容
为了解决上述背景技术提出的技术问题,本发明旨在提供一种基于循环伏安法的Ni-B CMMA多层合金制备方法,解决传统制备方法难以精确控制沉积电位,在电沉积过程中阴极析氢导致涂层存在贯穿孔的问题。
为了实现上述技术目的,本发明的技术方案为:
一种基于循环伏安法的Ni-B CMMA多层合金制备方法,以石墨或镍板或不溶性涂层电极为对电极、工件为工作电极,通过循环伏安法周期性调控沉积参数,获得组成与结构可调控的Ni-B合金,该Ni-B合金为CMMA多层结构,其层数为30~1000;循环伏安法的扫描电位E∈[E1,E2],其中,-1.5V≤E1≤-0.8V,-0.5V≤E2≤0.1V,电位扫描速率v的范围为1mV/s≤v≤100mV/s,扫描周期数等于合金层数,以上电位均相对于饱和甘汞电极;该制备方法的电解液以质量浓度计由以下成分组成:150~350g/L镍盐,1~6g/L三甲胺硼烷,20~50g/L硼酸,0.1~2g/L助剂,0~1g/L润湿剂,溶剂为水。
基于上述技术方案的优选方案,镍盐包含硫酸镍、氯化镍或碱式碳酸镍中的至少一种,且必须含有硫酸镍。
基于上述技术方案的优选方案,助剂为糖精。
基于上述技术方案的优选方案,润湿剂为十二烷基硫酸钠、十二烷基磺酸钠、脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸钠、聚氧乙烯烷基酚醚硫酸钠盐、脂肪醇聚氧乙烯醚、壬基酚聚氧乙烯醚或辛基酚聚氧乙烯醚中的一种;
基于上述技术方案的优选方案,电解液的pH值为3~5;电沉积时电解液的温度为35~70℃。
基于上述技术方案的优选方案,在电解液中加入0.5-15g/L的SiC、Al2O3、TiN或TiO2纳米颗粒,在搅拌下实现纳米粒子的共沉积,获得纳米复合Ni-B CMMA多层合金。
采用上述技术方案带来的有益效果:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河海大学,未经河海大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710426062.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。