[发明专利]一种在薄片（包括晶圆）上实现图形转移的新工艺

权利要求书

1.一种用于在薄片(包括晶圆)上实现图形转移的新工艺，其主要特征在于：视觉对准系统、贴覆薄膜(或涂覆抗腐蚀介质层)系统、激光切割系统、湿法或干法腐蚀系统和整机控制系统；步骤一，视觉对准系统对薄片(包括晶圆)进行对准，将薄片(包括晶圆)整体位置的和薄片(包括晶圆)中各个芯片位置的数据反馈给控制系统；步骤二，控制系统将预设图形与上述位置数据经计算得出需要在薄片(包括晶圆)表面进行加工的图形及其位置，并将该图形及其位置的数据传输给激光切割系统；步骤三，贴覆薄膜(或涂覆抗腐蚀介质层)系统在薄片(包括晶圆)的表面上贴覆薄膜(或涂覆抗腐蚀介质层)；步骤四，激光切割系统发出激光束，并将光斑聚焦在薄片(包括晶圆)表面所贴覆的薄膜(或抗腐蚀介质)内外某一高度位置，按照所述图形进行开槽切割，完全去除掉设定槽宽内的薄膜(或抗腐蚀介质层)；步骤五，湿法或干法腐蚀系统对薄片(包括晶圆)进行整体的湿法或干法腐蚀，将上述薄膜(或抗腐蚀介质层)上的图形完整地、无损伤地转移到薄片(包括晶圆)上，实现对薄片(包括晶圆)开槽加工或穿透切割的目的。

2.根据权利要求1所述的新工艺，主要特征在于：该控制系统内安装有激光切割图形编辑专用软件，激光切割图形编辑专用软件用于对激光束的开槽切割图形按照用户的要求进行编辑和预先设定，并与视觉对准系统采集来的薄片(包括晶圆)整体位置的和薄片(包括晶圆)中各个芯片位置的数据进行计算并使其吻合，以确保后续开槽切割后的图形落实在薄片(包括晶圆)中各个芯片内或外应有的位置。

3.根据权利要求1所述的新工艺，主要特征在于：激光切割系统需要将被开槽切割的薄膜(或抗腐蚀介质)完全切透并保持薄片(包括晶圆)表面的清洁，在激光切割中被全部汽化的薄膜(或抗腐蚀介质)将由激光切割系统中的排风装置过滤后排出。光斑聚焦点可以设定在薄膜(或抗腐蚀介质)内部的某一位置，也可以设定在距薄膜(或抗腐蚀介质)上表面一定高度的位置，光斑聚焦点的位置和激光束能量等参数是由薄膜(或抗腐蚀介质)的材质、厚度及开槽切割宽度等工艺参数来调整和设定的。

4.根据权利要求1所述的新工艺，主要特征在于：激光切割系统按照所述图形进行开槽切割时，对激光束的光斑尺寸、照射能量、切割速度等相关参数进行控制，以使其开槽宽度可控，达到开槽宽度与芯片尺寸及各个芯片间的间距最优化匹配的目的，确保在后续的图形转移时，实现对薄片(包括晶圆)进行湿法或干法腐蚀过程中腐蚀速率的最大化。

5.根据权利要求1所述的新工艺，主要特征在于：湿法或干法腐蚀系统在对薄片(包括晶圆)进行整体腐蚀的过程中，以激光开槽切割后在薄片(包括晶圆)的表面留下的薄膜(或抗腐蚀介质层)为耐腐蚀阻挡层(亦称抗腐蚀层)，实现将权利要求1所述图形完整地、无损伤地转移到薄片(包括晶圆)上，完成开槽加工或穿透切割的目的。

6.根据权利要求1所述的新工艺，主要特征在于：激光切割系统按照所述图形进行开槽切割时，因为激光束在激光切割系统内高速振镜扫描器的作用下可以在可视范围内进行包括但不限于直线移动在内的各种曲线移动，再配合承载薄片(包括晶圆)的工作台在X、Y方向上的自由移动，便可实现任意图形轨迹(包括但不限于长方形和圆形)的移动和对薄片(包括晶圆)的表面上所贴覆薄膜(或抗腐蚀介质层)的开槽切割，进而实现对薄片(包括晶圆)进行任意图形的(包括但不限于长方形和圆形)、低成本的开槽加工或穿透切割。