[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一第一半导体衬底，在所述第一半导体衬底内形成一凹槽；

在所述凹槽及所述第一半导体衬底上形成第一绝缘层；

提供一第二半导体衬底，在所述第二半导体衬底上形成第二绝缘层；

将所述第一半导体衬底上形成有所述第一绝缘层的一面与所述第二半导体衬底上形成有所述第二绝缘层的一面进行键合；

减薄所述第二半导体衬底背向所述第二绝缘层的表面；

刻蚀剩余的第二半导体衬底以形成多个波导层，其中所述凹槽的上方形成有所述波导层。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成波导层之后，所述半导体器件的制造方法还包括：在所述第二绝缘层及所述波导层上形成第三绝缘层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成第三绝缘层之后，所述半导体器件的制造方法还包括：在所述第三绝缘层内形成一接触孔，所述接触孔暴露出所述波导层，并在所述接触孔内填充金属材料。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述第二绝缘层之后，所述半导体器件的制造方法还包括：对所述第二半导体衬底进行离子注入，在所述第二半导体衬底内部形成离子注入层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述离子注入层之后，所述半导体器件的制造方法还包括：对所述第二绝缘层进行平坦化处理。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在减薄所述第二半导体衬底背向所述第二绝缘层的表面的步骤中，去除所述离子注入层以及所述离子注入层背向所述第二绝缘层一侧的所述第二半导体衬底。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，减薄所述第二半导体衬底背向所述第二绝缘层的表面之后，所述半导体器件的制造方法还包括：对剩余的第二半导体衬底进行平坦化处理。

8.如权利要求2～7中任一项所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层的材质相同。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层均为氧化硅层。

10.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底；

位于所述半导体衬底内的凹槽；

覆盖所述半导体衬底及所述凹槽的绝缘层；

位于所述绝缘层内的多个波导层，其中所述凹槽的上方具有所述波导层。

11.如权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层包括覆盖所述半导体衬底及所述凹槽的第一绝缘层、位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层、以及位于所述第二绝缘层上的第三绝缘层；其中，所述波导层位于所述第二绝缘层之上，所述第三绝缘层覆盖所述第二绝缘层与所述波导层。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层的材质相同。

13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，所述第一绝缘层、第二绝缘层与第三绝缘层均为氧化硅层。

14.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于所述第三绝缘层内的接触孔，所述接触孔延伸至所述波导层，所述接触孔内填充有金属材料。