[发明专利]用于晶片均匀性的轮廓凹坑和混合基座

说明书

本发明描述了基座组件，所述基座组件包括：基座基部；以及多个饼形蒙皮，所述多个饼形蒙皮在基座基部上。饼形锚件可以定位在基座基部的中心，以便在处理期间将所述饼形蒙皮保持于适当位置处。

技术领域

本公开大体上涉及用于在基座中支撑晶片的凹坑。具体来说，本公开的实施例涉及用于成批处理腔室的具有晶片凹坑的基座组件。

背景技术

在成批处理腔室中，膜厚度、折射率和湿蚀刻速率均匀性主要是取决于在径向和方位角方向的凹坑温度变化。一些沉积的膜如氮化硅(SiN)对于在两个方向上在凹坑内的热梯度和均匀性非常敏感。热不均匀性比大多数膜上的RF不均匀性更主要。使用具有一个狭缝阀、五个区加热器线圈的转盘基座的一些当前成批工艺腔室并不足以补偿晶片上的较大热梯度(10℃)，即使是分区调谐和基座旋转也是如此。这可能部分是由于在狭缝阀和升降杆附近的冷点。

当前碳化硅(SiC)涂覆的石墨基座是较大、整体的，并且清洁起来成本较高。为了得以清洁基座，保有备用基座以最小化腔室停机时间。无论新的基座何时安装，平度、径向振摆(runout)和其他测量值都会被记载下来。SiC涂覆的材料对于盐、有机试剂、一些稀酸(例如、稀氟化氢(HF)、氯化氢(HCl)、硫酸(H₂SO₄)、硝酸(HNO₃))的水溶液和热的惰性气体具有耐性。然而，SiC涂层本身并不是惰性的，并且在三氟化氮(NF₃)等离子体或氟、HF环境下更快速地腐蚀。

因此，本领域需要提高跨晶片的温度均匀性的装置和方法。本领域还需要对于腔室环境为惰性的基座。

发明内容

本公开的一个或多个实施例涉及基座组件，基座组件包括基座基部、多个饼形蒙皮和饼形锚件。多个饼形蒙皮在基座基部上。饼形锚件在基座基部的中心，并且被配置为与饼形蒙皮协作地相互作用以将饼形蒙皮保持于适当位置。

本公开的另外实施例涉及基座组件，基座组件包括基座基部以及在基座基部上方延伸的多个岛部。岛部大小适于在处理期间支撑基板。多个蒙皮被定位为环绕多个岛部，多个蒙皮中的每者均由陶瓷材料制成。

本公开的另外实施例涉及基座组件，基座组件包括基座基部，基座基部具有多个凹部，在凹部内具有凹坑盖件(pocket cover)。凹坑盖件具有与凹部的深度基本上相同的厚度。多个饼形蒙皮在基座基部上。饼形蒙皮中的每者具有与饼形蒙皮的内周边缘相邻的至少一个凹部或突起。饼形锚件在基座基部的中心。饼形锚件被配置为与饼形蒙皮协作地相互作用以将饼形蒙皮保持于适当位置。饼形锚件包括大小适于与饼形蒙皮上的至少一个凹部协作地相互作用的至少一个突起或大小适于与饼形蒙皮上的至少一个突起协作地相互作用的至少一个凹部。夹板被定位在锚件和蒙皮的内周边缘上方。

附图简述

因此，为了详细理解本公开的上述特征结构所用方式，上文所简要概述的本公开的更具体的描述可以参考实施例进行，一些实施例示出在附图中。然而，应当注意，附图仅示出了本公开的典型实施例，并且因此不应视为限制本公开的范围，因为本公开可允许其他等效实施例。

图1示出根据本公开的一个或多个实施例的成批处理腔室的剖面图；

图2示出根据本公开的一个或多个实施例的成批处理腔室的局部透视图；

图3示出根据本公开的一个或多个实施例的成批处理腔室的示意图；

图4示出根据本公开的一个或多个实施例的用于成批处理腔室中的楔形气体分配组件的一部分的示意图；

图5示出根据本公开的一个或多个实施例的成批处理腔室的示意图；以及

图6示出根据本公开的一个或多个实施例的基座组件；

图7示出根据本公开的一个或多个实施例的基座组件中的锚件；