[发明专利]半导体器件和通信电路在审

专利信息
申请号: 201710422664.0 申请日: 2017-06-07
公开(公告)号: CN107492547A 公开(公告)日: 2017-12-19
发明(设计)人: 内田慎一;藏本贵文 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L27/092
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 韩峰,孙志湧
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 通信 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

衬底;

第一电路,所述第一电路被设置在所述衬底的第一区域中;

第二电路,所述第二电路被设置在所述衬底的第二区域中,所述第二电路被配置为与所述第一电路选择性地操作;

第一电感器,所述第一电感器被设置在所述第二区域中并与所述第一电路相连;以及

第二电感器,所述第二电感器被设置在所述第一区域中并与所述第二电路相连。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括:

第一保护环,所述第一保护环被形成为在平面图中环绕所述第二电感器;以及

第二保护环,所述第二保护环被形成为在所述平面图中环绕所述第一电感器,

其中,

所述第一保护环是所述第一电路的电源线或接地线,并且

所述第二保护环是所述第二电路的电源线或接地线。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括:

由被包括在所述第一电路和所述第二电路之中的布线层所形成的遮蔽图案,

其中,

所述布线层包括形成于所述遮蔽图案之上的钝化层,并且

所述第一电感器和所述第二电感器被设置在所述钝化层之上。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述第一电路通过第一布线来被连接至所述第一电感器,所述第一布线被形成为从所述第一区域延伸至所述第二区域,并且

所述第二电路通过第二布线来被连接至所述第二电感器,所述第二布线被形成为从所述第二区域延伸至所述第一区域。

5.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括:

接收电路,所述接收电路包括所述第一电路和所述第一电感器;以及

发送电路,所述发送电路包括所述第二电路和所述第二电感器。

6.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,

所述接收电路包括被配置为对接收信号进行放大的接收放大器电路,

所述发送电路包括被配置为对发送信号进行放大的发送放大器电路,

所述接收放大器电路包括所述第一电路和所述第一电感器,并且

所述发送放大器电路包括所述第二电路和所述第二电感器。

7.一种通信电路,其包括根据权利要求5所述的半导体器件,该通信电路进一步包括:

天线,所述天线被配置为发送/接收无线电信号;以及

开关,所述开关被配置为选择性地将所述接收电路或所述发送电路连接至所述天线。

8.一种通信电路,其包括根据权利要求5所述的半导体器件,该通信电路进一步包括:

开关,所述开关与所述第一电感器并联连接;

接收放大器,所述接收放大器被连接至所述开关和所述第一电感器;以及

发送放大器,所述发送放大器通过变压器来被连接至所述第一电感器,并且

当执行接收处理时所述开关被断开,并且当执行发送处理时所述开关被接通。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述第一电路和所述第二电路中的每一个包括电容器和MOS晶体管中的至少一个。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述第一区域和所述第二区域被布置成彼此相邻。

11.一种通信电路,其包括根据权利要求1所述的半导体器件,其中,

所述第一电路通过利用第一频带中的射频信号来执行通信处理,并且

所述第二电路通过利用与所述第一频带不同的第二频带中的射频信号来执行通信处理。

12.根据权利要求11所述的通信电路,进一步包括:

第一振荡器,所述第一振荡器包括所述第一电路和所述第一电感器,所述第一振荡器被配置为产生所述第一频带中的所述射频信号,以及

第二振荡器,所述第二振荡器包括所述第二电路和所述第二电感器,所述第二振荡器被配置为产生所述第二频带中的所述射频信号。

13.根据权利要求12所述的通信电路,进一步包括:

开关,所述开关被配置为在用于所述第一振荡器的信号路径与用于所述第二振荡器的信号路径之间切换信号路径。

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