[发明专利]半导体结构及其形成方法、鳍式场效应晶体管的形成方法有效

专利信息
申请号: 201710422132.7 申请日: 2017-06-06
公开(公告)号: CN109003899B 公开(公告)日: 2021-08-06
发明(设计)人: 李勇 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/78
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 100176 北京市*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 结构 及其 形成 方法 场效应 晶体管
【权利要求书】:

1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:

提供衬底,所述衬底上具有分立的鳍部、位于鳍部之间的隔离结构以及横跨所述鳍部的伪栅结构,所述隔离结构顶部低于所述鳍部顶部;

形成至少位于所述伪栅结构侧壁上的侧墙;

在所述隔离结构上形成牺牲层,形成所述牺牲层的步骤包括:形成牺牲材料层,所述牺牲材料层位于所述鳍部、所述隔离结构以及所述伪栅结构上;对所述牺牲材料层进行回流处理,以形成所述牺牲层;

形成所述牺牲层之后,在所述伪栅结构两侧的鳍部内形成第一凹槽。

2.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述牺牲层的材料为有机材料。

3.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述牺牲层为底部抗反射层或有机介电层。

4.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,通过旋涂的方式形成所述牺牲材料层。

5.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述回流处理的工艺温度在80℃到150℃范围内,处理时间在10min到30min范围内。

6.如权利要求2所述的形成方法,其特征在于,所述牺牲层的厚度在5nm到50nm范围内。

7.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述衬底包括用于形成P型器件的PMOS区域;

形成所述第一凹槽的步骤包括:在所述PMOS区域伪栅结构两侧的鳍部内形成第一凹槽。

8.如权利要求7所述的形成方法,其特征在于,所述形成方法还包括:形成所述侧墙之后,形成所述第一凹槽之前,形成P区掩膜层,所述P区掩膜层位于所述PMOS区域中所述鳍部和所述伪栅结构上;

形成所述P区掩膜层之后,形成所述第一凹槽之前,形成所述牺牲层。

9.一种半导体结构,其特征在于,包括:

衬底;

鳍部,分立的位于所述衬底上;

隔离结构,位于所述鳍部露出的衬底上;

伪栅结构,位于所述鳍部上且横跨所述鳍部,覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁;

侧墙,至少位于所述伪栅结构的侧壁上;

牺牲层,位于所述隔离结构上,形成所述牺牲层的过程包括回流处理;第一凹槽,位于在所述伪栅结构两侧的鳍部内。

10.如权利要求9所述的半导体结构,其特征在于,所述牺牲层的材料为有机材料。

11.如权利要求10所述的半导体结构,其特征在于,所述牺牲层为底部抗反射层或有机介电层。

12.如权利要求10所述的半导体结构,其特征在于,所述牺牲层的厚度在5nm到50nm范围内。

13.如权利要求11所述的半导体结构,其特征在于,所述衬底包括具有P型外延层的PMOS区域;

所述第一凹槽位于所述PMOS区域伪栅结构两侧的鳍部内。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710422132.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top