[发明专利]利用光子辅助等离子体工艺改善线边缘粗糙度

权利要求书

1.一种用于改善具有工艺层的衬底的线边缘粗糙度或线宽粗糙度的光子辅助等离子体处理方法，其包括：

使工艺气体流入室；

使所述工艺气体形成等离子体；

将所述工艺层暴露于所述等离子体；以及

用波长介于200nm和1微米之间的光照射所述工艺层，同时将所述衬底暴露于所述等离子体，其中漫射光源在特征的侧壁的至少50％上提供强度为至少1000W/m²的光。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述工艺层是在图案化掩模下面的蚀刻层，其中所述将所述工艺层暴露于所述等离子体在所述蚀刻层中蚀刻具有侧壁的特征，并且其中所述照射所述工艺层照射所述特征的所述侧壁。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述图案化掩模是多重图案化掩模。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述光由漫射光源提供。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻层包括碳、SiN、硅或SiO中的至少一种。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述图案化掩模包括光致抗蚀剂、SiO、SiN、SiON、Si或碳中的至少一种，并且其中相对于所述图案化掩模选择性地蚀刻所述蚀刻层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述工艺气体是包含含卤素组分的蚀刻气体，其使得能够蚀刻所述工艺层。

8.根据权利要求2所述的方法，其中所述蚀刻层包括碳、SiN、硅或SiO中的至少一种。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所述图案化掩模包括光致抗蚀剂、SiO、SiN、SiON、Si或碳中的至少一种，并且其中相对于所述图案化掩模选择性地蚀刻所述蚀刻层。

10.根据权利要求2所述的方法，其中所述工艺气体是包含含卤素组分的蚀刻气体，其使得能够蚀刻所述工艺层。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述光由漫射光源提供。

12.一种使用光子辅助等离子体工艺处理衬底以改善线边缘粗糙度或线宽粗糙度的系统，其包括：

处理室；

用于在所述处理室内支撑所述衬底的衬底支撑件；

用于向所述处理室中提供气体的气体入口；

气体源；

连接在所述气体源和所述处理室之间的气体入口；

电源；

与所述处理室相邻并且电连接到所述电源的至少一个电极；

用于照射所述衬底中蚀刻特征的侧壁的漫射光源；和

可控地连接到所述电源、所述气体源和所述光源的控制器。

13.根据权利要求12所述的系统，其中所述漫射光源在所述衬底的外边缘之外。

14.根据权利要求13所述的系统，其中所述漫射光源提供波长介于200nm和1微米之间的光。

15.根据权利要求14所述的系统，其中所述漫射光源向所述衬底支撑件提供至少1000W/m²的强度。

16.根据权利要求12所述的系统，其中所述光源向所述衬底支撑件的顶部晶片支撑表面的至少50％提供强度为1000W/m²的光。