[发明专利]检测晶圆缺陷的装置及方法

权利要求书

1.一种检测晶圆缺陷的装置；其特征在于，包括：

P面电极，所述P面电极用于设置在所述晶圆的P面表面，作为正极端；

透明导电薄膜，所述透明导电薄膜用于设置在晶圆的N面表面，作为负极端；

电源，所述电源分别与所述正极端和负极端连接；所述电源通过所述正极端和所述负极端给所述晶圆通电，以使得所述晶圆发光；

图像采集系统，所述图像采集系统位于所述透明导电薄膜的远离所述晶圆的一侧；所述图像采集系统用于接收所述晶圆发出的光场以采集所述晶圆的有源区图像；

缺陷鉴别模块，所述缺陷鉴别模块用于获取所述晶圆在磨抛工艺之前有源区图像，并与所述图像采集系统采集的有源区图像进行对比，以识别出磨抛工艺引入的有源区缺陷。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述晶圆为半导体激光器晶圆。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述图像采集系统包括成像系统和CCD图像传感器；所述成像系统用于放大所述晶圆发出的光场，以增强所述图像采集系统采集到的图像的分辨率；所述CCD图像传感器用于将采集到的所述光场进行成像处理。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，还包括机械系统；所述机械系统用于控制所述图像采集系统对所述晶圆进行逐点扫描。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述P面电极为金属电极。

6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述透明导电薄膜包括石墨烯导电薄膜。

7.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述透明导电薄膜的面积大于或等于所述晶圆N面的面积。

8.一种检测晶圆缺陷的方法，其特征在于，包括：

在所述晶圆的N型衬底表面粘附透明导电薄膜，以作为负极端；

将所述晶圆的P面连接P面电极，以作为正极端；

将电流通过所述P面电极从所述晶圆的P面注入，通过所述N型衬底和所述透明导电薄膜后引出；

采集所述晶圆有源区的光场分布；

根据所述晶圆有源区的光场分布判断所述晶圆在磨抛工艺中引入有源区的缺陷。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述采集所述晶圆有源区的光场分布的步骤是通过置于所述晶圆的N面侧的图像采集系统采集所述晶圆有源区的辐射光。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据所述晶圆有源区的光场分布判断所述晶圆在磨抛工艺中引入有源区的缺陷步骤包括：

将所述晶圆有源区的光场分布与进行磨抛工艺之前的晶圆有源区的光场分布进行比对，以判断所述晶圆在磨抛工艺中引入有源区的缺陷。