[发明专利]单晶硅太阳能板有效
申请号: | 201710418324.0 | 申请日: | 2017-06-06 |
公开(公告)号: | CN107240612B | 公开(公告)日: | 2019-02-12 |
发明(设计)人: | 李顺利 | 申请(专利权)人: | 界首市七曜新能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/048;C03C3/062;C03C3/078;C08L23/08;C08L1/14;C08L25/06;C08L89/00;C08L67/00;C08L33/08;C08L27/06;C08L61/06;C08L23/20 |
代理公司: | 合肥中博知信知识产权代理有限公司 34142 | 代理人: | 徐俊杰 |
地址: | 236500 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 单晶硅 太阳能 | ||
一种单晶硅太阳能板,所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成,所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。本发明通过蒸镀一层缓冲层(氮化镓),减少氮化硅与单晶硅之间的晶格失配,提高太阳能电池板芯片的吸光量,同时氮化镓薄层本身就是很好的透光材料,不会影响到太阳光的入射;制得的单晶硅太阳能板光电转换效率可达到26%以上,使用15~20年依然保持较高的光电转化效率。
技术领域
本发明涉及太阳能技术领域,具体涉及一种单晶硅太阳能板。
背景技术
单晶硅是一种比较活泼的非金属元素,是晶体材料的重要组成部分,处于新材料发展的前沿。其主要用途是用作半导体材料和利用太阳能光伏发电、供热等。由于太阳能具有清洁、环保、方便等诸多优势,近三十年来,太阳能利用技术在研究开发、商业化生产、市场开拓方面都获得了长足发展,成为世界快速、稳定发展的新兴产业之一。
单晶硅可以用于二极管级、整流器件级、电路级以及太阳能电池级单晶产品的生产和深加工制造,其后续产品集成电路和半导体分离器件已广泛应用于各个领域,在军事电子设备中也占有重要地位。
在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天,利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能,实现了迈向绿色能源革命的开始。北京2008年奥运会将把绿色奥运做为重要展示面向全世界展现,单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在,国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段,正在向实际应用阶段过渡,太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围,市场需求量不言而喻。
目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为18%左右,最高的达到24%,如何进一步提高单晶硅太阳能电池的光电转化效率是摆在研发人员面前迫切需要解决的问题。
发明内容
本发明为解决上述问题,提供一种光电转换效率高、使用寿命长的单晶硅太阳能板。
本发明所要解决的技术问题采用以下的技术方案来实现:
一种单晶硅太阳能板,所述单晶硅太阳能板从上至下分别由钢化玻璃、EVA、减反射膜、太阳能电池板芯片组成。
所述太阳能电池板芯片与所述减反射膜接触面上蒸镀有缓冲层。
所述缓冲层为氮化镓层。
所述氮化镓层厚度为10~12nm。
所述氮化镓层通过化学气相沉积蒸镀在所述太阳能电池板芯片上。
所述减反射膜为氮化硅。
所述氮化硅厚度为50~70nm。
所述钢化玻璃包括以下重量份的原料:
二氧化硅30-50份,珠光粉0.2-0.6份,氧化锆0.1-0.3份,碳酸钠5-8份,硅酸钙2-4份,银粉0.2-0.8份,二氧化锰0.3-0.5份,二氧化钛0.5-0.8份,氧化铁0.1-0.3份,氮化镓0.2-0.5份,氧化锌0.5-0.8份,氧化镍0.3-0.7份。
所述EVA由以下重量份的原料组成:
乙烯20-30份,醋酸乙烯脂20-25份,醋酸-丙酸纤维素1.0-1.5份,氯化聚乙烯1.2-1.8份,酪蛋白0.3-0.5份,发泡聚苯乙烯0.6-0.8份,聚芳酯1.5-2.0份,聚丙烯酸丁酯0.2-0.4份,聚氯乙烯0.6-1.0份发,酚醛树脂0.3-0.7份,聚异丁烯0.5-0.8份。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于界首市七曜新能源有限公司,未经界首市七曜新能源有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710418324.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种C形接触轨锚固装置
- 下一篇:一种避免乘客受惯性影响的公交车
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的