[发明专利]储存装置的控制方法

说明书

一种储存装置的控制方法，包括下列步骤：提供储存装置，其中该储存装置包括第一反相器、第二反相器、第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管以及第四晶体管；根据第一控制信号来控制第一晶体管，以选择性地将第一数据节点耦接至第一输入输出节点；根据第二控制信号来控制第二晶体管，以选择性地将第一数据节点耦接至第一输入输出节点；根据第一控制信号来控制第三晶体管，以选择性地将第二数据节点耦接至第二输入输出节点；以及根据第二控制信号来控制第四晶体管，以选择性地将第二数据节点耦接至第二输入输出节点。本发明可同时改善储存装置的静态噪声容限和写噪声容限，从而强化储存装置的存储效能。

技术领域

本发明关于一种储存装置的控制方法，特别是关于一种可同时提升静态噪声容限(Static Noise Margin，SNM)和写噪声容限(Write Noise Margin，WNM)的储存装置及其控制方法。

背景技术

静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”的意义，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。反之，当电力供应停止时，静态随机存取存储器所储存的数据就会立刻消失，故其亦被称为易失性存储器(Volatile Memory)。

然而，随着半导体制程越来越微缩，晶片的电压供应也逐渐变低。在低电压供应的环境下，静态随机存取存储器的静态噪声容限(Static Noise Margin，SNM)和写噪声容限(Write Noise Margin，WNM)等两项指标都会同时下滑，此趋势恐不利于静态随机存取存储器的实际应用效能。有鉴于此，确实有必要提出一种全新的电路设计，以克服先前技术所面临的问题。

发明内容

在一较佳实施例中，本发明提供一种储存装置的控制方法，包括下列步骤：提供一储存装置，其中该储存装置包括一第一反相器、一第二反相器、一第一晶体管、一第二晶体管、一第三晶体管以及一第四晶体管，其中该第一反相器的一输出端和该第二反相器的一输入端皆耦接至一第一数据节点，而该第一反相器的一输入端和该第二反相器的一输出端皆耦接至一第二数据节点；根据一第一控制信号来控制该第一晶体管，以选择性地将该第一数据节点耦接至一第一输入输出节点；根据一第二控制信号来控制该第二晶体管，以选择性地将该第一数据节点耦接至该第一输入输出节点；根据该第一控制信号来控制该第三晶体管，以选择性地将该第二数据节点耦接至一第二输入输出节点；以及根据该第二控制信号来控制该第四晶体管，以选择性地将该第二数据节点耦接至该第二输入输出节点。

在一些实施例中，该控制方法还包括：于一读取模式中延迟该第二控制信号，使得该第二控制信号相较于该第一控制信号具有较晚的启动时间以及较短的脉冲宽度。

在一些实施例中，该控制方法还包括：于一写入模式中不延迟该第二控制信号，使得该第二控制信号与该第一控制信号具有相同的启动时间以及等长的脉冲宽度。

在一些实施例中，该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管以及该第四晶体管用于提升该储存装置的静态噪声容限(Static Noise Margin，SNM)和写噪声容限(WriteNoise Margin，WNM)。

在一些实施例中，该第一晶体管的一控制端用于接收该第一控制信号，该第一晶体管的一第一端耦接至该第一数据节点，该第一晶体管的一第二端耦接至该第一输入输出节点，该第二晶体管的一控制端用于接收该第二控制信号，该第二晶体管的一第一端耦接至该第一数据节点，该第二晶体管的一第二端耦接至该第一输入输出节点，该第三晶体管的一控制端用于接收该第一控制信号，该第三晶体管的一第一端耦接至该第二输入输出节点，而该第三晶体管的一第二端耦接至该第二数据节点，该第四晶体管的一控制端用于接收该第二控制信号，该第四晶体管的一第一端耦接至该第二输入输出节点，而该第四晶体管的一第二端耦接至该第二数据节点。

在一些实施例中，该第一控制信号由一第一字线所提供，而该第二控制信号由一第二字线所提供。