[发明专利]用于海底应用的高压功率电子模块有效

专利信息
申请号: 201710414839.3 申请日: 2017-06-05
公开(公告)号: CN107527873B 公开(公告)日: 2020-04-10
发明(设计)人: D·吉隆;H·伦登曼;黄晖 申请(专利权)人: ABB瑞士股份有限公司
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉;黄海鸣
地址: 瑞士*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 海底 应用 高压 功率 电子 模块
【权利要求书】:

1.一种用于海底应用的高压功率电子模块(1),其中所述功率电子模块(1)包括:

基板(3),

布置在所述基板(3)上的功率半导体芯片(7),和

布置在所述基板(3)上且配置成封装所述功率半导体芯片(7)的封装结构(5),

其中所述封装结构(5)是具有在室温下在1至20吉帕斯卡GPa的范围内的弹性模量和小于20ppm/K的热膨胀系数的环氧树脂。

2.如权利要求1所述的功率电子模块(1),其中所述热膨胀系数在10ppm/K至12ppm/K的范围内。

3.如权利要求1或2所述的功率电子模块(1),其中所述环氧树脂具有至少75重量%的填料含量。

4.如前述权利要求中的任一项所述的功率电子模块(1),其中在垂直于由所述基板(5)的在其上布置有所述功率半导体芯片(7)的表面限定的平面(P)的穿过所述封装结构(5)的任何横截面中,所述封装结构(5)具有圆形内角部(5b)。

5.如权利要求4所述的功率电子模块(1),其中各圆形内角部(5b)具有至少1mm的半径(r)。

6.如前述权利要求中的任一项所述的功率电子模块(1),其中在垂直于由所述基板(3)的在其上布置有所述功率半导体芯片(7)的表面限定的平面(P)的穿过所述封装结构(5)的任何横截面中,所述封装结构(5)具有圆形外角部(5c)。

7.如权利要求6所述的功率电子模块(1),其中各圆形外角部(5c)具有至少1mm的半径(r)。

8.如权利要求6或7所述的功率电子模块(2),其中在所述封装结构(5)的所述横截面中任何圆形内角部(5a)和圆形外角部(5c)由形成所述封装结构(5)的外边界的倾斜线(5d)连接。

9.如权利要求8所述的功率电子模块(1),其中所述倾斜线(5d)中的至少一些与所述平面(P)之间的外角度(α)是钝角。

10.如权利要求8所述的功率电子模块(1),其中所述倾斜线(5d)中的至少一些与所述平面(P)之间的外角度(α)是至少100度。

11.如权利要求8所述的功率电子模块(1),其中所述倾斜线(5d)与所述平面(P)之间的外角度(α)是约105度。

12.如前述权利要求中的任一项所述的功率电子模块(1),其中所述功率电子模块(1)被配置成在至少1700V下操作。

13.如前述权利要求中的任一项所述的功率电子模块(1),其中所述功率电子模块(1)是IGBT模块。

14.一种海底模块,包括:

柔性外壳,

用于抵消所述柔性外壳的机械变形的介电流体,和

如权利要求1至13中的任一项所述的高压功率电子模块(1),其中所述高压功率电子模块(1)被浸没在所述介电流体中。

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