[发明专利]一种掺钇氟化钡晶体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种掺钇氟化钡晶体的制备方法，其特征在于，所述掺钇氟化钡晶体的化学组成为Ba_(1-x)Y_xF_2+x，其中0.01≤x≤0.50，所述制备方法包括：

以YF₃ 和BaF₂为原料，按照按摩尔比BaF₂: YF₃ = (1-x): x准确称量后混合，得到混合粉体，0.01≤x≤0.50；

将所得混合粉体装入坩埚，然后在真空炉中于1200-1400℃充分熔融混合，再经冷却后，得到Ba_(1-x)Y_xF_2+x多晶料，或者将所得混合粉体经等静压处理后装入坩埚，然后于真空气氛中在900～1200℃下烧结，得到Ba_(1-x)Y_xF_2+x多晶料；

将所得Ba_(1-x)Y_xF_2+x多晶料和脱氧剂PbF₂粉体混合，通过坩埚下降法生长晶体；所述坩埚下降法的工艺参数包括：

保持本底真空度小于10^-3Pa，然后在1200-1400℃下熔融Ba_(1-x)Y_xF_2+x多晶料和脱氧剂PbF₂粉体后开始晶体生长，坩埚的下降速度为0.5～4 mm/小时，生长结束后将晶体以10～50℃/小时的降温速率冷却至室温；其中脱氧剂PbF₂的加入量为Ba_(1-x)Y_xF_2+x多晶料的0.5-5wt%。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述坩埚为高纯石墨坩埚或玻璃碳坩埚。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，脱氧剂PbF₂的加入量为Ba_(1-x)Y_xF_2+x多晶料的0.5-2wt%。

4.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述等静压处理的压力为5-20MPa，时间为0.1-1小时。

5.一种权利要求1至4中任一项所述的制备方法制备的掺钇氟化钡晶体。

6.根据权利要求5所述的掺钇氟化钡晶体，其特征在于，所述掺钇氟化钡晶体为单晶或多晶。

7.一种闪烁晶体探头，其特征在于，包括权利要求5或6所述的掺钇氟化钡晶体、以及与所述掺钇氟化钡晶体耦合的光电倍增管、雪崩光电二极管或硅光电倍增管。

8.一种如权利要求5或6所述的掺钇氟化钡晶体在高时间分辨辐射探测领域中的应用。