[发明专利]检测器和具有该检测器的发射成像设备有效

专利信息
申请号: 201710414287.6 申请日: 2017-06-05
公开(公告)号: CN107272043B 公开(公告)日: 2019-06-04
发明(设计)人: 杨明明;谢思维;翁凤花;赵指向;龚政;黄秋;彭旗宇 申请(专利权)人: 中派科技(深圳)有限责任公司
主分类号: G01T1/202 分类号: G01T1/202
代理公司: 北京睿邦知识产权代理事务所(普通合伙) 11481 代理人: 徐丁峰;付伟佳
地址: 518063 广东省深圳市南*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 检测器 具有 发射 成像 设备
【权利要求书】:

1.一种用于发射成像设备的检测器,其特征在于,包括:

闪烁晶体阵列,其包括多个闪烁晶体;

光传感器阵列,其耦合至所述闪烁晶体阵列的端面,所述光传感器阵列包括多个光传感器,所述多个光传感器中的至少一个分别耦合有多个所述闪烁晶体,

其中,所述多个闪烁晶体的未与所述光传感器阵列耦合的面均设置有光反射层,且所述面中与相邻的光传感器耦合的闪烁晶体相邻的面的光反射层中设置有透光窗口。

2.如权利要求1所述的检测器,其特征在于,所述多个闪烁晶体包括第一闪烁晶体,所述第一闪烁晶体具有与相邻的光传感器耦合的第一闪烁晶体相邻的两个面,所述透光窗口包括第一透光窗口和第二透光窗口,分别设置在所述第一闪烁晶体的所述两个面的光反射层中,以允许光被相邻的光传感器接收。

3.如权利要求2所述的检测器,其特征在于,所述光传感器阵列中位于中心区域的m1×m2个光传感器均耦合有n1×n2个第一闪烁晶体,其中m1和m2为正整数,其中n1和n2为1或2,且n1和n2不等。

4.如权利要求3所述的检测器,其特征在于,所述光传感器阵列中位于顶角的四个光传感器均耦合有一个第一闪烁晶体。

5.如权利要求3所述的检测器,其特征在于,所述光传感器阵列中位于横向边缘的2m1个光传感器均耦合有n1×1个第一闪烁晶体,且位于纵向边缘的2m2个光传感器均耦合有1×n2个第一闪烁晶体。

6.如权利要求2所述的检测器,其特征在于,所述多个闪烁晶体还包括第二闪烁晶体,所述第二闪烁晶体具有与相邻的光传感器耦合的闪烁晶体相邻的一个面,所述第二闪烁晶体的所述一个面设置有透光窗口,以允许光被相邻的光传感器接收。

7.如权利要求6所述的检测器,其特征在于,所述光传感器阵列中位于中心区域的光传感器均耦合有n1×n2个闪烁晶体,所述n1×n2个闪烁晶体中位于对应的光传感器的顶角的四个闪烁晶体为所述第一闪烁晶体,所述n1×n2个闪烁晶体中位于对应的光传感器的边缘的2(n1-2)+2(n2-2)个闪烁晶体为所述第二闪烁晶体,其中n1和n2为2或3。

8.如权利要求7所述的检测器,其特征在于,所述光传感器阵列中位于顶角的四个光传感器均耦合有一个第一闪烁晶体。

9.如权利要求7所述的检测器,其特征在于,所述光传感器阵列中位于横向边缘的光传感器耦合有n1×1个闪烁晶体,且位于纵向边缘的光传感器耦合有1×n2个闪烁晶体,其中所述n1×1个闪烁晶体和所述1×n2个闪烁晶体中位于对应的光传感器的顶角处的闪烁晶体为第一闪烁晶体,且所述n1×1个闪烁晶体和所述1×n2个闪烁晶体中位于对应的光传感器的边缘处的闪烁晶体为第二闪烁晶体。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中派科技(深圳)有限责任公司,未经中派科技(深圳)有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710414287.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top