[发明专利]一种QLED器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种QLED器件及其制作方法。

背景技术

近年来，量子点发光二极管(QLED)因其具备高亮度、低功耗、广色域、易加工等诸多优点，在照明和显示领域都获得了广泛的关注与研究。

在传统的正装结构的QLED器件中，由于阳极中氧化铟锡(ITO)的功函数较低，而量子点发光层中的量子点材料的电离势都比较高，因此需要在阳极与量子点发光层之间插入空穴注入层，以增加QLED器件的空穴的注入数量以及传输的效率，从而提高QLED器件性能。

目前，常用的空穴注入层为PEDOT(3,4-乙烯二氧噻吩单体的聚合物):PSS(聚苯乙烯磺酸钠)。但PEDOT:PSS的电离势依然比较低，无法有效提高QLED器件的空穴的注入数量以及传输的效率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种QLED器件及其制作方法，用于提高QLED器件的空穴传输与注入的性能，进而提高QLED器件的性能。

为达到上述目的，本发明提供一种QLED器件，采用如下技术方案：

该QLED器件包括：基板，以及依次层叠设置在所述基板的ITO电极层、P掺杂的介质层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层。

与现有技术相比，本发明提供的QLED器件具有以下有益效果：

在本发明提供的QLED器件中，基板上不仅设置有ITO电极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层，在空穴传输层与ITO电极层之间还设置有P掺杂的介质层，这就使得在该QLED器件的空穴注入过程中，就能够先将ITO电极层中的空穴传输到P掺杂的介质层的主材料中，再传输到P掺杂的介质层的掺杂剂中，然后即可通过P掺杂的介质层的掺杂剂，将空穴传输至空穴传输层，进而传输至量子点发光层，从而提高了QLED器件的空穴的注入数量以及传输效率，提高了QLED器件的性能。

此外，与现有的使用PEDOT:PSS作为空穴注入层，并设置有多层空穴传输层的QLED器件相比，本发明提供的QLED器件中通过利用P掺杂的介质层作为空穴注入层，只需一层空穴传输层即可替代现有的多层空穴传输层，从而在制作本发明提供个QLED器件过程中，无需选用多种溶液材料来制作空穴传输层，避免了出现因为多种溶液材料互溶而造成的制作空穴传输层的溶液材料的选择较难的问题，降低了制作QLED器件的难度。

本发明还提供一种QLED器件的制作方法，采用如下技术方案：

该QLED器件的制作方法包括：在基板上依次形成ITO电极层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层和顶电极层，在形成所述ITO电极层之后，形成所述空穴传输层之前，所述QLED器件的制作方法还包括：

在所述ITO电极层上形成P掺杂的介质层。

与现有技术相比，本发明提供的QLED器件的制作方法的有益效果与上述QLED器件的有益效果相同，故此处不再进行赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的QLED器件的结构的示意图；

图2为本发明实施例提供的QLED器件的空穴传输过程示意图。

附图标记说明：

1—基板，2—ITO电极层， 3—P掺杂的介质层，

4—空穴传输层，5—量子点发光层，6—电子传输层，

7—顶电极层。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，本发明实施例提供一种QLED器件，该QLED器件包括：基板1，以及依次层叠设置在基板1的ITO电极层2、P掺杂的介质层3、空穴传输层4、量子点发光层5、、电子传输层6和顶电极层7。