[发明专利]一种银合金键合丝的制备方法在审
| 申请号： | 201710413850.8 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN107240551A | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 崔成强;张昱;张凯;高健;陈云;贺云波;陈新 | 申请（专利权）人： | 广东工业大学 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L33/62;C22F1/14;C23C30/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 赵青朵 |
| 地址： | 510062 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 合金 键合丝 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种银合金键合丝的制备方法，包括以下步骤：
将银合金丝表面镀金层，精拉丝，退火，得到银合金键合丝；
所述银合金丝的直径和镀金层的厚度比为0.1×103～1.5×103：0.01～0.5；
所述退火的温度为200～800℃。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述银合金丝的直径和镀金层的厚度比为0.2×103～1.0×103：0.02～0.3。
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述镀金层的厚度为0.02～0.3μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述银合金丝镀金后精拉丝至直径0.7～1.2mil。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火的温度为350～800℃。
6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火的时间为10～180min。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述银合金丝包括0～10wt％的金、0～5wt％的铜和0～5wt％的钯；所述金、铜和钯的含量不同时为0。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述银合金键合丝的外层为金银合金层；所述金银合金层的厚度为0.05～0.5μm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述退火在惰性气氛下进行。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
