[发明专利]一种像素电路及其驱动方法和其制备方法、显示装置在审
| 申请号: | 201710413271.3 | 申请日: | 2017-06-05 |
| 公开(公告)号: | CN106991956A | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
| 发明(设计)人: | 许静波;孟虎 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 罗瑞芝,陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 像素 电路 及其 驱动 方法 制备 显示装置 | ||
1.一种像素电路,包括排布呈阵列的多个子像素,每个所述子像素对应连接一个碳纳米管开关管,其特征在于,每行所述子像素分成多个子像素组,每个所述子像素组均包括第一子像素和第二子像素,所述第一子像素连接N型碳纳米管开关管,所述第二子像素连接P型碳纳米管开关管,每个所述子像素组中的所述第一子像素和所述第二子像素连接同一条栅线和同一条数据线。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,每个所述子像素组中的所述第一子像素和所述第二子像素均相邻。
3.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,奇数行所述子像素中,所述第一子像素为奇数个所述子像素,所述第二子像素为偶数个所述子像素;
偶数行所述子像素中,所述第二子像素为奇数个所述子像素,所述第一子像素为偶数个所述子像素。
4.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,奇数行所述子像素中,所述第二子像素为奇数个所述子像素,所述第一子像素为偶数个所述子像素;
偶数行所述子像素中,所述第一子像素为奇数个所述子像素,所述第二子像素为偶数个所述子像素。
5.根据权利要求2-4任意一项所述的像素电路,其特征在于,每个所述子像素组中,所述第一子像素和所述第二子像素各自连接的所述P型碳纳米管开关管和所述N型碳纳米管开关管分别位于其所连接的所述数据线的两侧。
6.根据权利要求5所述的像素电路,其特征在于,每个所述子像素组中,所述第一子像素和所述第二子像素各自连接的所述P型碳纳米管开关管和所述N型碳纳米管开关管以其所连接的所述数据线为对称轴镜像对称。
7.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,每行所述子像素所连接的所述碳纳米管开关管连接一条所述栅线,相邻两列所述子像素所连接的所述碳纳米管开关管连接一条所述数据线。
8.一种如权利要求1-7任意一项所述的像素电路的制备方法,包括形成多个碳纳米管开关管;形成排布呈阵列的多个子像素,所述碳纳米管开关管与所述子像素一一对应连接,其特征在于,每行所述子像素分成多个子像素组,每个所述子像素组均包括第一子像素和第二子像素,所述第一子像素连接N型碳纳米管开关管,所述第二子像素连接P型碳纳米管开关管,连接所述第一子像素的所述N型碳纳米管开关管和和连接所述第二子像素的所述P型碳纳米管开关管的有源层同时形成,所述P型碳纳米管开关管和所述N型碳纳米管开关管的源漏极分别采用不同材料形成。
9.一种如权利要求1-7任意一项所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,每行子像素的驱动均包括正向驱动阶段和负向驱动阶段;
在每行所述子像素的所述正向驱动阶段,连接N型碳纳米管开关管的栅线输入正向电压,所述N型碳纳米管开关管开启,连接所述N型碳纳米管开关管的数据线输入正电压,所述N型碳纳米管开关管驱动所述第一子像素进行显示;
在每行所述子像素的所述负向驱动阶段,连接P型碳纳米管开关管的所述栅线输入负向电压,所述P型碳纳米管开关管开启,连接所述P型碳纳米管开关管的所述数据线输入负电压,所述P型碳纳米管开关管驱动所述第二子像素进行显示。
10.根据权利要求9所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,奇数行中的奇数个所述子像素和偶数行中的偶数个所述子像素在所述正向驱动阶段驱动;
奇数行中的偶数个所述子像素和偶数行中的奇数个所述子像素在所述负向驱动阶段驱动。
11.根据权利要求9所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,奇数行中的偶数个所述子像素和偶数行中的奇数个所述子像素在所述正向驱动阶段驱动;
奇数行中的奇数个所述子像素和偶数行中的偶数个所述子像素在所述负向驱动阶段驱动。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-7任意一项所述的像素电路。
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