[发明专利]在闪存上提升存取效能的控制方法

说明书

本申请是提供一种在闪存上提升存取效能的控制方法，其包含下列步骤。读取每一多个存储区块的一抹除次数。当此抹除次数超过一抹除上限阈值时，或当侦测到该错误检查纠正码内发生错误的位总个数大于等于一侦错阈值时，将此存储区块转换为一单层式单元格式，另外能搭配数据压缩技术将多余存储空间暂时转换为单层式单元格式。将转换为单层式单元格式的存储区块加入所述数据快取区，其中此资料快取区属于单层式单元格式。

技术领域

本申请是有关于一种在闪存上的控制方法，特别是有关于一种可以在闪存上提升资料存取效能的控制方法。

背景技术

NAND闪存(Flash)是固态硬盘(SSD)用来承载、存储数据的内存，固态硬盘可通过控制器(Controller)进行各种运算处理，而这些过程中的任何一个细节，都有可能影响到固态硬盘的产品效能表现、可靠度、稳定度等等。

闪存在格式上可分为单层式存储(Single-Level Cell,SLC)、多层式存储(Multiple-Level Cell,MLC)或是三层式存储(Triple-Level Cell,TLC)，其是以内存单元数组的方式来存储数据，而内存单元是由一浮动闸极晶体管(floating-gate transistor)来进行实作，通过控制浮动闸极晶体管上的电荷个数来设定导通此内存单元的所需临界电压，进而存储至少一位以上的信息，而当一特定电压施加于浮动闸极晶体管的控制闸极上时，浮动闸极晶体管的导通状态便会指示出浮动闸极晶体管中所存储的一或多个二进制数。

然而，当内存单元无法完全支持所写入的电压位准或是电压位准发生漂移(shift)或沾黏(sticky)的问题时，则此时数据的写入便会发生错误，而发生此种错误的区块便称的为故障区块(Bad Block)。

一般来说，故障区块可区分为两种，一种是在NAND闪存的制造过程中而产生的故障区块，称为早期坏块(Early Bad Block)，另一种则是在使用的过程中，随着写入、抹除的操作次数增加，而逐渐产生故障区块，此种区块则称为后期坏块(Latter Bad Block)。

更进一步地说明，一故障区块可根据错误检查纠正码(Error Detection andCorrection code,ECC code)的个数来进行判断。在NAND闪存中，每一个页(page)都会伴随着一固定长度的ECC code，当写入一数据至此页而发生错误时，若发生错误的位长度少于固定长度，则此资料便可以利用此ECC code来进行修复，反之，一但大于此固定长度时，则此页便无法使用ECC code来自我修复，控制器便会将包含此页的使用区块判断为一故障区块。

现行的故障区块管理机制是通过利用控制器来达成，此控制器会侦测并标示NAND闪存中的故障区块，以提升数据存取的可靠度(Reliability)。仔细地说，控制器的故障区块管理机制会在第一次启动NAND闪存时，建立一故障区块表(Bad Block Table)，尔后，控制器也会在使用的过程中将所判断出的故障区块记录在此表内，以防止任何数据被写入至此故障区块表所记录的故障区块。

在现行的故障区块管理机制中，被判断为故障区块的使用区块将永远没有再被使用的价值，因此，若能妥善使用该些可能成为故障区块的使用区块，使其在成为故障区块前另可产生额外的功能，将可有效地提升固态硬盘的使用效率，并可避免成本上的浪费。

发明内容

有鉴于上述习知技艺的问题，本申请的目的就是在提供一种在闪存上提升存取效能的控制方法，其包含下列步骤。读取每一多个存储区块的一抹除次数。当此抹除次数超过一抹除上限阈值时，将此存储区块转换为一单层式单元格式。将此转换为单层式单元格式的存储区块加入所述数据快取区，其中此资料快取区是属于单层式单元格式。

优选地，每一多个存储区块包含多个数据存储页。