[发明专利]一种电容器的制备方法

权利要求书

1.一种电容器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）超顺排碳纳米管阵列的制备：选取平整基底，在基底表面均匀涂布一催化剂层，放置在800-850℃的空气中退火40-50分钟，然后将退火的基底置于反应炉中，在氮气或氩气的保护环境下加热至600-620℃，通入碳源气体反应8-12分钟，生长得到高度100-500μm的碳纳米管阵列，堆叠至少两个平行且垂直于基底生长的碳纳米管阵列得到超顺排碳纳米管阵列；

（2）碳纳米管薄膜的制备：在步骤（1）制备的超顺排碳纳米管阵列中选取宽度200-300μm的碳纳米管束片段，沿基本垂直于碳纳米管阵列生长方向进行拉伸，获得连续的碳纳米管薄膜；

（3）碳纳米管薄膜结构的形成：选取两片相同的铜片作为第一集电层与第二集电层，将至少一层碳纳米管薄膜铺设在集电层的表面，形成自支撑的碳纳米管薄膜结构；

（4）电容器的制备：选取无纺布作为隔膜层，在隔膜层的两侧分别放置铺设有碳纳米管薄膜结构的第一集电层与第二集电层，一起放入外壳中，注入电解液后封装得到该电容器。

2.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）平整基底选自磷型、氮型或含有氧化层的硅基底。

3.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）催化剂层材料选自铁、钴、镍中的一种或多种的组合。

4.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）碳源气体为乙炔、乙烯、甲烷或乙烷。

5.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤（1）碳纳米管阵列的高度为200-300μm。

6.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤（3）碳纳米管薄膜结构可以使用有机溶剂浸润处理5-8分钟。

7.根据权利要求6所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为甲醇、乙醇、丙酮、二氯甲烷或乙腈。

8.根据权利要求1所述的电容器的制备方法，其特征在于，所述步骤（4）电解液选自氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、硫酸水溶液、盐酸水溶液、四氟硼酸四乙基铵、高氯酸锂或三氟甲磺酸锂。