[发明专利]一种全彩半导体发光微显示器及其制造工艺

权利要求书

1.一种全彩半导体发光微显示器，其特征在于，至少包含硅基底、呈阵列排布的微发光二极管和带有滤色层的透明基板，且：

所述硅基底包含驱动电路，所述驱动电路至少包含金属-氧化物半导体场效应晶体管、金属连接线和通孔；

所述微发光二极管至少包含第一电极、多层非有机化合物和第二电极；所述多层非有机化合物由Ga、As、In、Al、Se、Zn、Si、P、N或C元素构成且可掺杂；

所述微发光二极管包含有量子点LED；

所述滤色层制作于透明基板表面，所述透明基板贴合至所述硅基底上；

所述滤色层的两侧覆盖厚度不超过3μm的透明保护层，所述透明保护层为SiNx、SiOx、光刻胶，厚度不超过1μm；

所述微发光二极管由所述驱动电路提供的电流所驱动，且发射第一光线；所述滤色层包含若干滤色点，所述滤色点在垂直方向上覆盖所述微发光二极管，且将微发光二极管发射的第一光线转变为第二光线；

所述第一光线为白光，所述白光由所述微发光二极管中蓝光材料发出的蓝光及所述蓝光材料发出的蓝光激发荧光粉发出的光复合成，所述白光的光谱范围380～780nm，所述滤色点将白光过滤成的第二光线为红光、绿光或蓝光，所述微发光二极管具有三个公共电极，即第一公共电极、第二公共电极和第三公共电极，所有第二光线被转变为红色光的所述微发光二极管连接至所述第一公共电极、所有第二光线被转变为绿色光的所述微发光二极管连接至所述第二公共电极、所有第二光线被转变为蓝色光的所述微发光二极管连接至所述第三公共电极；

所述滤色点包括利用有机光敏材料制造的彩色抗蚀剂，所述滤色层厚度不超过1μm，相邻滤色点间选择性地增加遮光材料；

所述微发光二极管的个数不少于为800×600×3或1920×1080×3；

所述滤色点在垂直方向上完全覆盖所述微发光二极管，且所述滤色点中心点位置距离所述微发光二极管中心点位置不大于1μm。

2.如权利要求1所述的全彩半导体发光微显示器，其特征在于，所述滤色点的排布顺序为红绿蓝、红绿蓝绿或红绿蓝白。

3.如权利要求1所述的全彩半导体发光微显示器，其特征在于，所述透明基板与硅基底之间为厚度不超过50μm的胶水，胶水覆盖范围为透明基板的全部或四周。

4.如权利要求1所述的全彩半导体发光微显示器，其特征在于，所述透明基板为厚度为0.4～1.2mm的无机玻璃，且所述透明基板上可选择地覆盖有抗反光涂膜。

5.如权利要求1所述的全彩半导体发光微显示器，其特征在于，所述非有机微发光二极管为水平结构或垂直结构。