[发明专利]一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示基板在审
| 申请号： | 201710409082.9 | 申请日： | 2017-06-02 |
| 公开（公告）号： | CN107221503A | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | 钱海蛟;操彬彬;杨成绍;黄寅虎 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 许静,刘伟 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制作方法 显示 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括形成有源层的步骤，所述步骤包括：
在衬底基板上依次形成多晶硅图层和保护图层；
使用第一刻蚀气体，对所述保护图层进行刻蚀，得到由保护图层形成的保护图形；
以所述保护图形为掩膜板，使用第二刻蚀气体，同时对所述保护图形以及多晶硅图层进行刻蚀，得到由多晶硅图层形成的多晶硅图形，以及由保护图形形成的保护残留图形，其中所述保护图形被所述第二刻蚀气体刻蚀的速率不小于所述多晶硅图层被所述第二刻蚀气体刻蚀的速率；
形成非晶硅图形，所述非晶硅图形与所述多晶硅图形的刻蚀侧面相接触，且露出一部分保护残留图形，所述多晶硅图形和所述非晶硅图形共同组成有源层。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，
所述多晶硅图层的形成材料包括p-Si，所述保护图层形成材料包括SiO2。
3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，
使用第一刻蚀气体，对所述保护图层进行刻蚀，包括：
使用O2与CF4体积比例为40:200的第一刻蚀气体，对所述保护图层进行刻蚀。
4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于，
所述保护图层的厚度为1000埃，被所述第一刻蚀气体刻蚀的时间为120秒-130秒，刻蚀环境的大气压强为55毫托-65毫托。
5.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，
使用第二刻蚀气体，同时对所述保护图形以及多晶硅图层进行刻蚀，包括：
使用O2与CF4体积比例为100:200的第二刻蚀气体，同时对所述保护图形以及多晶硅图层进行刻蚀。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，
所述多晶硅图层的厚度为500埃，所述保护图形以及所述多晶硅图层同时被所述第二刻蚀气体刻蚀的时间为35秒-45秒，刻蚀环境的大气压强为75毫托-85毫托。
7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，还包括：
在形成非晶硅图形后，对所述非晶硅图形远离所述衬底基板的表面进行离子注入，使得所述非晶硅图形被离子注入的部分形成欧姆接触层。
8.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-7中任一项所述的制作方法制作得到。
9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层的多晶硅图形的刻蚀侧面的坡度为45度-55度。
10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管，其特征在于，
所述有源层的多晶硅图形与所述有源层的保护残留图形构成升阶的阶梯结构。
11.一种显示基板，其特征在于，包括如权利要求8-10任一项所述的薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
