[发明专利]中子发生器

说明书

本发明公开了中子发生器，包括绝缘管壁，绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板，另一端作为封接口，在安装基板上设置有一个环状阳极板，在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极，环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接，在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶；还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。本发明结构采用了径向引出的方法，保持轴向放电的方式，金属离子仍然会分布在轴线上，最终大部分会损失在边壁上，而氘离子由于分布在边沿处，受引出电场的影响，会有较高的引出效率。

技术领域

本发明涉及中子发生器领域，具体是一种基于金属氘化物真空弧离子源的脉冲中子发生器。

背景技术

中子发生器是一种产生中子的装置，应用于石油探井、武器点火等方向。它的主要部件包括了金属氘化物真空弧离子源，束流光学部件以及氚靶件。基本的原理是首先离子源产生氘离子，经束流光学部件引出后，打在靶上，氘离子与靶上的氚离子发生热核反应，产生中子。根据真空弧放电原理，离子源会产生多种离子，包括了各价态的金属离子以及氘离子，其中金属离子并非我们期望的产物，不仅不会参与热核反应产生中子，并且增大了束流负载，增大击穿风险，并且经引出的高能金属离子对靶也会造成损伤。

发明内容

本发明的目的在于提供一种中子发生器，解决现有技术中的中子发生器产生的金属离子过多而引起的束流负载大、击穿风险高、靶损伤等问题。

本发明通过下述技术方案实现：

中子发生器，包括一个内部为空腔结构的圆筒形绝缘管壁，绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板，另一端作为封接口，在安装基板上设置有一个环状阳极板，在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极，环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接，在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶；还包括一个与阴极间隔设置的触发电极、以及电源系统。现有的中子发生器所产生的金属离子对于束流的限制作用已经越发明显地限制了中子发生器的性能优化和提高，申请人经过多年的研究发现：由于氘离子与金属离子存在较大的质量差，氘离子的扩散速度大于金属离子，这导致了两种离子在空间上存在分布差异，实验表明，在通常的轴向起弧放电时，金属离子更多的分布在轴心处，径向边沿分布较少，而氘离子在径向边沿处分布依然很高，这种特性是由于现有中子发生器采用的轴向方向引出离子，这种轻重离子分布特性不能有效发挥，根据该发现，申请人对中子发生器做出了改进，首先将绝缘管壁的一个端面封闭形成离子源的安装基板，另一端作为封接口，在安装基板上设置有一个环状阳极板，在环状阳极板内沿径向依次套装有同轴的触发绝缘块、阴极，环状阳极板通过一个同轴的圆筒状出口金属栅网与板状阳极板连接，在绝缘管壁的内侧设置有与出口金属栅网分离的环形靶，采用了轴向放电，径向引出的思路来提升引出束流中的氘离子比，离子源采用轴向放电产生等离子体，再从径向方向引出离子，离子均匀打在环形靶上，该方式提高了引出离子的氘比例，可有效提高中子产额及靶寿命；利用氘离子、金属离子的空间分布特征，来实现高氘离子比束流的引出，金属离子主要集中在轴线上，而边沿位置氘离子占主导，现有技术中轴向引出的方法，会将绝大部分金属离子一同引出，从而引出束流中的氘离子含量较低，而本发明结构采用了径向引出的方法，保持轴向放电的方式，金属离子仍然会分布在轴线上，最终大部分会损失在边壁上，而氘离子由于分布在边沿处，受引出电场的影响，会有较高的引出效率。