[发明专利]亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法

权利要求书

1.亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、制备熔体：以Ga₂O₃、Tm₂O₃、Fe₂O₃、Bi₂O₃为原料，Bi₂O₃既为薄膜提供成分又为熔剂，Ga₂O₃用以降低饱和场；

根据配方:(Bi_xTm_3-x)(Ga_yFe_5-y)O₁₂，0<x<3,0<y<5，采用R因子配方法(Blank-Nielsen系数法)进行配料得到熔体，涉及的R因子有R1、R2、R3，三个因子的关系如下(摩尔比)：

R1=Tm2O3Fe2O3=0.1~0.2;R2=Ga2O3Fe2O3=0.1~0.135;R3=GarnetoxidesGarnetoxides+Flux=0.1~0.2;]]>

S2、清洗基片；

S3、将步骤S2清洗后的基片放入熔体中，在935℃温度下、基片转速为120rpm，生长1～5min，生长完成后，清洗去除残留，得到本发明所述亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜。

2.根据权利要求1所述的亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法，其特征在于，步骤S1的具体过程为：准确称量原料Ga₂O₃、Tm₂O₃、Fe₂O₃、Bi₂O₃，研磨混合后置于铂坩埚中，在1050～1080℃下熔化20～24h，然后在980～1000℃下搅拌10～12h，得到均匀熔体。

3.根据权利要求1所述的亚微米级面外易磁化单晶石榴石磁光薄膜的液相外延制备方法，其特征在于，步骤S2采用的基片为钆镓石榴石(GGG)基片。