[发明专利]半导体装置以及半导体装置用壳体

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

箱型的半导体装置用壳体，其具有载置具有第一电路基板侧连接盘的电路基板的顶壁，在该顶壁的与所述第一电路基板侧连接盘对应的位置处具有第一开口部；

半导体芯片，其收纳于所述半导体装置用壳体的内部，具有输出用电极；

第一导电性块，其收纳于所述半导体装置用壳体的内部，该第一导电性块的下端与所述输出用电极的表面连接；以及

第一连接端子，其以具有截面呈细长的U字状的部分的方式弯折成具有彼此相向的相向面，所述第一连接端子在所述第一开口部处通过与所述U字的底对应的上端来与所述第一电路基板侧连接盘连接，所述第一连接端子在与所述U字的顶部对应的下端处通过所述相向面来夹持所述第一导电性块的上部的两侧从而与所述第一导电性块接触，

所述半导体装置还具备一对支承侧壁部，所述一对支承侧壁部固定于所述半导体装置用壳体，所述一对支承侧壁部在所述半导体装置用壳体的内部罩住所述第一连接端子的除所述上端以外的部分，

所述一对支承侧壁部在比所述第一连接端子与所述第一导电性块的接触位置靠上侧的位置处具有在所述一对支承侧壁部之间定义的宽度最窄的狭窄部，

在所述狭窄部，使所述一对支承侧壁部分别从所述第一连接端子的两侧与所述第一连接端子接触，由此使所述第一导电性块推压所述第一连接端子的内壁。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一连接端子的形成U字的一对侧壁设置有膨胀部，所述膨胀部的在相同的高度位置测量时的外壁面间的宽度比所述狭窄部的宽度长。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一连接端子的上端，沿着所述第一开口部的宽度方向并排设置有2个以上的接触部，所述2个以上的接触部分别形成向所述第一电路基板侧连接盘突出的凸部。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一连接端子由1片板状构件形成。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一导电性块具有沿着所述输出用电极的表面延伸的下表面以及向所述第一连接端子突出的突起部，

所述下表面被设置成与所述输出用电极的表面接合，所述突起部作为所述上部且两侧被所述相向面夹持从而与所述相向面接触。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

还具备搭载所述半导体芯片的绝缘基板，利用所述绝缘基板来堵住所述半导体装置用壳体的底部。

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述电路基板具有第二电路基板侧连接盘，

所述半导体芯片具有开路发射极用电极，

所述半导体装置用壳体在所述顶壁的与所述第二电路基板侧连接盘对应的位置处具有第二开口部，

所述半导体装置还具备：第二导电性块，其收纳于所述半导体装置用壳体的内部，该第二导电性块的下端与所述开路发射极用电极的表面连接；以及

第二连接端子，其以具有截面呈细长的U字状的部分的方式弯折成具有彼此相向的相向面，所述第二连接端子在所述第二开口部处通过与所述U字的底对应的上端来与所述第二电路基板侧连接盘连接，所述第二连接端子在与所述U字的顶部对应的下端处通过所述相向面来夹持所述第二导电性块的上部的两侧从而与所述第二导电性块接触。

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体芯片是逆导绝缘栅型双极晶体管。

9.一种半导体装置用壳体，其特征在于，具备：

箱型的外壁部，其具有载置具有电路基板侧连接盘的电路基板的顶壁，在该顶壁的与所述电路基板侧连接盘对应的位置处具有开口部；

连接端子，其以具有截面呈细长的U字状的部分的方式弯折成具有彼此相向的相向面，所述连接端子在所述开口部处通过与所述U字的底对应的上端来与所述电路基板侧连接盘连接，所述连接端子在与所述U字的顶部对应的下端处通过所述相向面来与收纳于所述外壁部的内部的半导体芯片连接；以及

固定于所述顶壁的彼此相向的一对支承侧壁部，所述一对支承侧壁部通过在所述一对支承侧壁部之间定义的宽度最窄的狭窄部来支承所述连接端子，所述一对支承侧壁部在所述外壁部的内部罩住所述连接端子的除所述上端以外的部分，

所述连接端子在与所述U字的顶部对应的下端处通过所述相向面来夹持与所述半导体芯片的表面连接的导电性块的上部的两侧从而与所述导电性块接触，

所述一对支承侧壁部在比所述连接端子与所述导电性块的接触位置靠上侧的位置处具有所述狭窄部，

在所述狭窄部，使所述一对支承侧壁部分别从所述连接端子的两侧与所述连接端子接触，由此使所述导电性块推压所述连接端子的内壁。