[发明专利]半导体压力传感器

权利要求书

1.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，

所述隔膜具有：

可动电极；

第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；

第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及

屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，

还具有：第3绝缘膜，其在所述半导体基板的所述主面将所述固定电极包围，

所述隔膜的形状在剖视图上的端部处呈现为固定部，该固定部在与所述半导体基板相反侧固定于所述第3绝缘膜，

所述空隙还位于所述第3绝缘膜和所述隔膜之间，

所述隔膜在所述厚度方向上隔着所述空隙还与所述第3绝缘膜相对，并且，在与所述第3绝缘膜相对的位置处在所述厚度方向上是可动的。

2.根据权利要求1所述的半导体压力传感器，其中，

还具有：侧壁，其在所述第3绝缘膜之上具有与所述固定部相邻的相邻面，该侧壁位于所述第3绝缘膜之上，

所述相邻面是越远离所述第3绝缘膜则越接近所述空隙侧的曲面。

3.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，

所述隔膜具有：

可动电极；

第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；

第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及

屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，

所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层、第2多晶硅层和第3多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第2多晶硅层具有拉伸性的内部应力，该第3多晶硅层具有压缩性的内部应力，

所述屏蔽膜是具有压缩性的内部应力的第4多晶硅层。

4.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，

所述隔膜具有：

可动电极；

第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；

第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及

屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，

所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层、第2多晶硅层和第3多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有拉伸性的内部应力，该第2多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第3多晶硅层具有拉伸性的内部应力，

所述屏蔽膜是具有拉伸性的内部应力的第4多晶硅层。

5.一种半导体压力传感器，其具有：固定电极，其位于半导体基板的主面；以及隔膜，其在所述半导体基板的厚度方向上经由空隙而至少在与所述固定电极相对的位置处在所述厚度方向上是可动的，其中，

所述隔膜具有：

可动电极；

第1绝缘膜，其位于所述可动电极的所述空隙侧；

第2绝缘膜，其位于所述可动电极的与所述空隙相反侧，膜种类与所述第1绝缘膜相同；以及

屏蔽膜，其与所述可动电极一起夹着所述第2绝缘膜，

所述可动电极由在所述厚度方向上从接近所述固定电极侧起依次层叠的第1多晶硅层和第2多晶硅层构成，该第1多晶硅层具有压缩性的内部应力，该第2多晶硅层具有拉伸性的内部应力，

所述屏蔽膜是具有压缩性的内部应力的第4多晶硅层。