[发明专利]用于均匀气相沉积的岐管

权利要求书

1.一种半导体处理装置，所述半导体处理装置包括：

岐管，所述岐管包括孔道，所述岐管具有被配置成用于沿着气体通路混合所述岐管中的多种气体的延长的长度，所述孔道界定所述岐管的第一端部分与所述岐管的第二端部分之间的气体通路，沿着所述岐管的纵轴，所述第一端部分与所述第二端部分相对地安置且与所述第二端部分隔开第一距离，

其中所述孔道包括界定所述岐管的所述纵轴的轴向部分以及不平行于所述纵轴从所述轴向部分的第一端延伸的横向部分，所述横向部分至少部分地围绕具有平行于所述纵轴的分量的轴线旋转，

其中所述孔道包括偏置轴向部分，所述偏置轴向部分从所述横向部分的第二端向下游延伸并且具有沿着所述纵轴的方向分量，所述偏置轴向部分在横向上偏离所述纵轴而安置，

其中所述孔道包括从所述偏置轴向部分的第三端不平行于所述纵轴而延伸的第二横向部分，所述第二横向部分安置在所述横向部分的下游，

其中所述气体通路穿过所述孔道的所述轴向部分、所述横向部分、所述偏置轴向部分和所述第二横向部分，

其中整个所述气体通路穿过所述孔道的所述横向部分、所述偏置轴向部分和所述第二横向部分，

其中所述横向部分和所述第二横向部分仅通过单个偏置轴向部分彼此流体连通；

其中所述气体通路穿过所述岐管延伸大于所述第一距离的第二距离；以及

反应腔室，所述反应腔室安置在所述孔道的下游且与所述孔道流体连通。

2.如权利要求1所述的装置，所述装置进一步包括第一块，所述第一块具有被界定在所述第一块的第一表面中的第一凹槽，其中所述孔道的所述横向部分至少部分地由所述第一块的所述第一凹槽界定。

3.如权利要求2所述的装置，所述装置进一步包括第二块，所述第二块具有被界定在所述第二块的第二表面中的第二凹槽，其中所述第一块的所述第一表面被机械地连接到所述第二块的所述第二表面，所述第一凹槽和所述第二凹槽进行协作以至少部分地界定所述孔道的所述横向部分。

4.如权利要求3所述的装置，其中所述半导体处理装置包括原子层沉积装置即ALD装置。

5.如权利要求1所述的装置，所述装置进一步包括被配置成支撑衬底的衬底支撑件。

6.如权利要求5所述的装置，所述装置进一步包括喷淋头，所述喷淋头被配置成使气体分散到所述反应腔室。

7.如权利要求1所述的装置，所述装置进一步包括气体分配通道，所述气体分配通道通过供应通道将气体从气体源输送到孔道。

8.如权利要求7所述的装置，所述装置进一步包括反应物气体阀，所述反应物气体阀被配置成将所述气体选择性地转移到所述气体分配通道。

9.一种半导体处理装置，所述半导体处理装置包括：

岐管，所述岐管包括孔道，所述岐管具有被配置成用于沿着气体通路混合所述岐管中的多种气体的延长的长度，所述孔道包括：

界定所述岐管的纵轴的轴向部分；

从所述轴向部分的第一端不平行于所述纵轴而延伸的横向部分，所述横向部分至少部分地围绕具有平行于所述纵轴的分量的轴线旋转；

从所述横向部分的第二端向下游延伸并且具有沿着所述纵轴的方向分量的偏置轴向部分，所述偏置轴向部分在横向上偏离所述纵轴而安置；以及

从所述偏置轴向部分的第三端不平行于所述纵轴而延伸的第二横向部分，所述第二横向部分安置在所述横向部分的下游，

其中所述气体通路穿过所述孔道的所述轴向部分、所述横向部分、所述偏置轴向部分和所述第二横向部分，

其中整个所述气体通路穿过所述孔道的所述横向部分、所述偏置轴向部分和所述第二横向部分，并且

其中所述横向部分和所述第二横向部分仅通过单个偏置轴向部分彼此流体连通；

供应通道，所述供应通道沿着所述纵轴在第一位置将气体供应到所述孔道的所述轴向部分，所述横向部分安置在所述第一位置下游的第二位置；以及

反应腔室，所述反应腔室安置在所述孔道的下游且与所述孔道流体连通。